CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
Initial study of pulsed γ total dose effect in CMOS devices作者机构：西北核技术研究所
出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)
年 卷 期：2004年第24卷第6期
页 面：745-748页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 082701[工学-核能科学与工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0827[工学-核科学与技术]
主 题：CMOS器件 阈值电压漂移 总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷 界面态 ^60Co 损伤 辐照
摘 要：利用强光一号加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析。
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