检索结果-南通市图书馆

90nm SOI nmosfet自加热效应研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2022年第5期47卷 369-372,380页

作者：王娟娟李江江曾传滨李逸帆倪涛罗家俊赵发展中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nmosfet的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在... 详细信息

应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nmosfet的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在漏源电压为1.3 V左右时才出现稳态漏源电流比瞬态值明显降低的现象,两者之差随着漏源电压的增加而增加。当漏源电压增至工作电压1.5 V时,瞬态漏源电流比稳态值高3.59%。在栅长相同的条件下,栅宽越短,自加热现象越不明显。进而发现接触孔和金属互连线是器件在测试时快速散热的关键路径,并通过温度分布的仿真结果加以证实。改变器件的环境温度,根据温度与瞬态漏源电流的测试结果计算得到宽长比为10μm/0.09μm的器件在室温条件下的沟道温升为33 K。

关键词：绝缘体上硅(SOI) nmosfet 自加热效应接触孔金属互连线

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

应变Si nmosfet漏电流解析模型

物理学报 2013年第23期62卷 300-307页

作者：周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪吕懿王斌李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si nmosfet漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si nmosfet漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度... 详细信息

基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si nmosfet漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si nmosfet漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响,进一步提高了模型精度.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考.

关键词：应变Si nmosfet 漏电流解析模型

Gate leakage current of nmosfet with ultra-thin gate oxide

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Central South University 2012年第11期19卷 3105-3109页

作者：胡仕刚吴笑峰席在芳 School of Information and Electrical Engineering Hunan University of Science and Technology

As dimensions of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) are scaling down and the thickness of gate oxide is decreased,the gate leakage becomes more and more prominent and has been one of the most important limiting factors to MOSFET and circuits lifetime.Based on reliability theory and experiments,the direct tunneling current in lightly-doped drain (LDD) nmosfet with 1.4 nm gate oxide fabricated by 90 nm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process was studied in depth.High-precision semiconductor parameter analyzer was used to conduct the tests.Law of variation of the direct tunneling (DT) current with channel length,channel width,measuring voltage,drain bias and reverse substrate bias was revealed.The results show that the change of the DT current obeys index law;there is a linear relationship between gate current and channel dimension;drain bias and substrate bias can reduce the gate current.

关键词：互补金属氧化物半导体 nmosfet 漏电流栅极半导体场效应晶体管超薄栅直接隧穿电流衬底偏压

异质多晶SiGe栅应变Si nmosfet物理模型研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2013年第21期62卷 452-459页

作者：王斌张鹤鸣胡辉勇张玉明宋建军周春宇李妤晨西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si nmosfet为例,建立了强反型时的准二维表面... 详细信息

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si nmosfet为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.

关键词：异质多晶SiGe栅应变Si nmosfet 表面势沟道电流

应变Si nmosfet阈值电压集约物理模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2013年第7期62卷 377-384页

作者：周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪舒斌王斌王冠宇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院葫芦岛125105

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si nmosfet阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通... 详细信息

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si nmosfet阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.

关键词：应变Si nmosfet 阈值电压集约物理模型

新型槽栅nmosfet热载流子效应的模拟研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 400-405页

作者：童建农邹雪城沈绪榜华中科技大学图像所IC设计中心武汉430073

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏... 详细信息

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性。

关键词：槽栅结构 nmosfet 热载流子效应热载流子退化器件特性亚阈值特性输出特性

超深亚微米SOI nmosfet中子辐照效应数值模拟

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2011年第4期45卷 456-460页

作者：胡志良贺朝会张国和郭达禧西安交通大学能源与动力工程学院陕西西安710049

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI nmosfet的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI nmosfet的影响... 详细信息

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI nmosfet的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI nmosfet的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。

关键词：中子辐照超深亚微米 SOI nmosfet 数值模拟

脉冲应力增强的nmosfet′s热载流子效应研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子学报 2002年第5期30卷 658-660页

作者：刘红侠郝跃西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

本文研究了交流应力下的热载流子效应 ,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对nmosfet′s的退化产生的影响 .在脉冲应力下 ,阈值电压和跨导的退化增强 .nmosfet′s在热空穴注入后 ,热电子随后注入时 ,会有大的退化量 ,这可... 详细信息

本文研究了交流应力下的热载流子效应 ,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对nmosfet′s的退化产生的影响 .在脉冲应力下 ,阈值电压和跨导的退化增强 .nmosfet′s在热空穴注入后 ,热电子随后注入时 ,会有大的退化量 ,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释 .本文还定量分析研究了nmosfet′s退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系 ,并且给出了详细的解释 .在脉冲应力条件下。

关键词：脉冲应力增强 nmosfet 热载流子效应

nmosfet中衬底偏压对衬底电流的影响研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 2013年第1期43卷 103-106页

作者：陈海峰过立新西安邮电大学电子工程学院西安710121

研究了基于90nm CMOS工艺的nmosfet中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V 详细信息

研究了基于90nm CMOS工艺的nmosfet中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V

关键词：衬底电流亚阈值电流 nmosfet 衬底偏压