脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光

作     者：于威 何杰 孙运涛 韩理 傅广生 YU Wei;HE Jie;SUN Yun-tao;HAN Li;FU Guang-sheng

作者机构：河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 

出 版 物：《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)

年 卷 期：2005年第25卷第4期

页      面：506-508页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080503[工学-材料加工工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：河北省自然科学基金 (50 31 2 9)资助项目 

主　　题：光致发光 纳米碳化硅 激光退火 SiC薄膜 准分子脉冲激光 激光能量密度 6H-SiC 碳化硅薄膜 发光峰 退火技术 XeCl 相对强度 特性变化 复合发光 发光过程 光谱带 缺陷态 

摘      要：采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。