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sic薄膜对纳米结构Ti拉伸和摩擦性能的影响

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稀有金属材料与工程 2007年第A1期36卷 911-914页

作者：许晓静姜玉杰陆树显曹进琪邵红红高建昌江苏大学先进成形技术研究所江苏镇江212013

考察了sic薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响。实验采用磁控溅射技术制备sic薄膜(样品台不加温),使用划痕仪测量界面结合力,采用拉伸试验机测量拉伸性能,采用摩擦试验机测量摩擦性能(对摩件为Si3N4,干摩擦),采用SEM-EDAX观察分... 详细信息

考察了sic薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响。实验采用磁控溅射技术制备sic薄膜(样品台不加温),使用划痕仪测量界面结合力,采用拉伸试验机测量拉伸性能,采用摩擦试验机测量摩擦性能(对摩件为Si3N4,干摩擦),采用SEM-EDAX观察分析微观组织。研究了薄膜(或涂层)对块体纳米材料力学性能的影响,并且获得了一种兼具高强度、良好塑性和良好摩擦学性能的纯钛金属材料。研究结果表明,sic薄膜不仅不会降低纳米结构Ti的拉伸性能,而且能显著降低摩擦系数(从0.7到0.3),大大提升抗磨性能。

关键词： sic薄膜磁控溅射纳米结构钛基材拉伸性能摩擦学性能

硅基β-sic薄膜外延生长的温度依赖关系研究

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无机材料学报 2000年第1期15卷 131-136页

作者：贾护军杨银堂朱作云李跃进西安电子科技大学微电子研究所西安710071

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同... 详细信息

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．

关键词：外延生长 sic薄膜淀积温度结晶度硅基

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sic薄膜的阻氚性能研究

核技术 2009年第1期32卷 23-26页

作者：杜良但贵萍曾俊辉中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621900

在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积sic薄膜,然后用能量为5keV的H+对其辐照直至剂量达到1×1018/cm2,再用二次离子质谱分析(SIMS)分析H+在sic薄膜中深度分布和正离子谱,研究薄膜的阻氢性能和阻氢机理;最后采用渗透实验对涂覆在不锈... 详细信息

在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积sic薄膜,然后用能量为5keV的H+对其辐照直至剂量达到1×1018/cm2,再用二次离子质谱分析(SIMS)分析H+在sic薄膜中深度分布和正离子谱,研究薄膜的阻氢性能和阻氢机理;最后采用渗透实验对涂覆在不锈钢基体表面的sic材料的氚渗透系数进行测试,对其阻氚性能进行验证。结果表明,在不锈钢基材表面涂覆的sic薄膜具有良好的阻氢性能,可将氚的渗透率降低4个数量级以上,sic薄膜的阻氢是由于氢与薄膜中的硅、碳悬挂键反应形成诸如C-H、C-H2、C-H3、Si-H、Si-H2和Si-H3引起的。

关键词： sic薄膜氚渗透阻氚不锈钢

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碳钢基体磁控溅射sic薄膜结合力研究

金属热处理 2007年第2期32卷 50-53页

作者：邵红红张晔高建昌华戟云江苏大学材料科学与工程学院江苏镇江212013

采用磁控溅射法在T10钢表面获得了sic薄膜,并研究了溅射方式、工艺参数以及中间层对薄膜结合性能的影响。试验结果表明,采用功率为200 W射频法和时间为2 h的sic/N i-P双层薄膜结合力最好。

关键词：磁控溅射 sic薄膜结合力 Ni—P合金中间层

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磁控溅射制备sic薄膜的高温热稳定性

材料研究学报 2009年第4期23卷 410-414页

作者：祝元坤朱嘉琦韩杰才梁军张元纯哈尔滨工业大学复合材料研究所哈尔滨150001 中国汽车工业工程公司天津300190

采用磁控溅射方法在Si基底上制备sic薄膜,研究了sic薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-... 详细信息

采用磁控溅射方法在Si基底上制备sic薄膜,研究了sic薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于sic的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO_2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的sic,在空气条件下,sic薄膜在800℃具有较好的热稳定性.

关键词：无机非金属材料磁控溅射热稳定性高温退火 sic薄膜

钢基表面磁控溅射法3C-sic薄膜制备研究

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功能材料 2008年第10期39卷 1625-1627页

作者：邵红红高建昌华戟云李宁江苏大学材料科学与工程学院江苏镇江212013

采用磁控溅射的方法溅射sic靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构。采用纯物理方法实时增碳又非常困难,实验采用先对衬底升温射频磁控溅射沉积碳化硅,然后再用直流法在表面沉积碳——... 详细信息

采用磁控溅射的方法溅射sic靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构。采用纯物理方法实时增碳又非常困难,实验采用先对衬底升温射频磁控溅射沉积碳化硅,然后再用直流法在表面沉积碳——两步法在钢基体表面制备薄膜。对所制备的薄膜结构采用X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱表征;并通过扫描电镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,通过这种方法所得出的薄膜在XRD图像中显示了很明显的3C-sic的晶态峰,在红外分析中也得到了其相应的吸收峰。

关键词： sic薄膜非晶碳膜磁控溅射 X射线衍射傅立叶红外吸收光谱

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Co掺杂sic薄膜的紫外光敏特性

光电子．激光 2010年第8期21卷 1199-1201页

作者：赵兴亮安玉凯刘技文天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室教育部光电材料与显示器件重点实验室天津300191

采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备sic薄膜及Co掺杂sic薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜... 详细信息

采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备sic薄膜及Co掺杂sic薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试。结果表明,sic薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后sic薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3。

关键词： sic薄膜 Co掺杂射频磁控溅射紫外光敏特性

基于单一气源的PECVD方法制备sic薄膜及其微观结构研究

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原子能科学技术 2022年第7期56卷 1473-1482页

作者：李子曦黄景林谢春平邓承付易泰民易勇杜凯中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 西南科技大学材料科学与工程学院四川绵阳621010

为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的sic薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备sic薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线... 详细信息

为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的sic薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备sic薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱对薄膜进行表征与分析。结果表明:sic薄膜的成分与工作压强密切相关,随着工作压强的增加,薄膜中Si含量整体呈下降趋势;随着工作压强的增加,薄膜沉积速率先增大后减少,密度先减小后增大;与其他制备工艺相比,采用单一气源制备sic薄膜,其表面粗糙度极低(1.25~1.85 nm),薄膜粗糙度随工作压强的增加呈先增大后减小的趋势。

关键词：单一气源 sic薄膜工作压强等离子体增强化学气相沉积法

射频磁控溅射工艺参数对sic薄膜发光性能的影响

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光电子．激光 2006年第5期17卷 558-563页

作者：刘技文李娟许京军南开大学物理学院天津理工大学材料物理研究所天津300191

采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了sic薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了sic薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均... 详细信息

采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了sic薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了sic薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-sic的形成,同时增加sic薄膜光致发光(PL)强度。

关键词： sic薄膜磁控溅射工艺参数光致发光