射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响
The Effect of Technical Parameters of RF Magnetron Sputtering on Photoluminescene of SiC Films作者机构：南开大学物理学院 天津理工大学材料物理研究所天津300191
出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)
年 卷 期：2006年第17卷第5期
页 面：558-563页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0803[工学-光学工程]
基 金：天津市功能材料与器件物理重点实验室资助项目 天津市自然科学基金资助项目(023801611)
摘 要：采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度。
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