硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究
Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2000年第15卷第1期
页 面：131-136页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．
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