包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型
IVModelofShortChannelSOI MOSFET IncludingSelfheatingEffect作者机构：清华大学微电子所
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1999年第19卷第2期
页 面：167-172页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析，建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型，在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流模型，并对该模型进行了验证。
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