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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 2 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 3 篇 soimosfet
  • 1 篇 自加热效应
  • 1 篇 特性分析
  • 1 篇 薄膜soi器件
  • 1 篇 cmos器件
  • 1 篇 tfsoi技术
  • 1 篇 直流模型
  • 1 篇 涤亚微米器件
  • 1 篇 半导体集成电路技...
  • 1 篇 ulsi

机构

  • 1 篇 骊山微电子公司
  • 1 篇 浙江工业大学
  • 1 篇 西安微电子技术研...
  • 1 篇 清华大学

作者

  • 1 篇 颜志英
  • 1 篇 李志坚
  • 1 篇 刘理天
  • 1 篇 沈文正
  • 1 篇 黄敞
  • 1 篇 孙自敏

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=SOIMOSFET"
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包含自加热效应的短沟道soimosfet直流模型
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固体电子学研究与进展 1999年 第2期19卷 167-172页
作者： 孙自敏 刘理天 李志坚 清华大学微电子所
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析，建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型，在此基础... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
适合ULSI的深亚微米soimosfet研究
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引用
微电子学与计算机 2001年 第4期18卷 16-18,29页
作者： 颜志英 黄敞 浙江工业大学 浙江310014 骊山微电子公司 西安710054
文章通过对 soimosfet进行大量的模拟、计算，提出了一个新的 soimosfet模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应，该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计，模型计算结果与实际测试结果较吻合。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
一项值得重视的低压低功耗超高速集成电路技术——TFSOI技术
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引用
世界科技研究与发展 1999年 第4期21卷 39-46页
作者： 沈文正 西安微电子技术研究所
本文详细地分析了薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ器件的特性并指出该器件的许多特性是其固有的。这些特性使得 Ｓ Ｏ Ｉ 技术对于高可靠、低压、低功耗、高速系统具有极大的吸引力。同时，该技术也适用于千兆位 Ｄ Ｒ Ａ Ｍ 、片上系统、以及抗辐射加固... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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