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包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型

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固体电子学研究与进展 1999年第2期19卷 167-172页

作者：孙自敏刘理天李志坚清华大学微电子所

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析，建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型，在此基础... 详细信息

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析，建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型，在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流模型，并对该模型进行了验证。

关键词：自加热效应直流模型 SOIMOSFET

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微辐射热计的光学与热学设计

红外与毫米波学报 2003年第2期22卷 109-113页

作者：董良岳瑞峰刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

针对四臂微桥结构的微辐射热计的光学和热学设计 ,分析了SiO2 红外吸收层 /poly Si热敏感薄膜电阻层 /SiO2 支撑薄膜层的多层薄膜的光学特性 ,研究了SiO2 红外吸收层的厚度对多层膜系平均红外吸收率的影响 .与常规设计思想不同的是 ,没... 详细信息

针对四臂微桥结构的微辐射热计的光学和热学设计 ,分析了SiO2 红外吸收层 /poly Si热敏感薄膜电阻层 /SiO2 支撑薄膜层的多层薄膜的光学特性 ,研究了SiO2 红外吸收层的厚度对多层膜系平均红外吸收率的影响 .与常规设计思想不同的是 ,没有假设微辐射热计的平均红外吸收率一定 ,而将不同厚度的SiO2 红外吸收层所对应的膜系平均红外吸收率用于微桥的热学设计中 ,通过有限元分析软件ANSYS5 .7,得到SiO2 红外吸收层的最佳厚度。

关键词：微辐射热计光学设计热学设计红外吸收率红外焦平面阵列微测辐射热计红外辐射

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多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制

固体电子学研究与进展 2004年第2期24卷 238-243页

作者：董良岳瑞峰刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,... 详细信息

采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,优化设计的微桥由两臂支撑 ,支撑臂的长和宽分别为 2 2 0 μm和 8μm,桥面面积为 80μm× 80μm。测试结果表明 ,在 773 K黑体源 8～ 1 4μm红外辐射下 ,调制频率为 3 0 Hz时 ,阵列中各单元的电压响应率为 6.2 3 k V/W～ 6.40 k V/W,探测率为 2 .2 4× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1～ 2 .3 3× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1 ,热响应时间为2 1 .2 ms～ 2 2 .1 ms,表明了器件具有较高的性能及较好的一致性。

关键词：多晶锗硅室温微测辐射热计微机械

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1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作

压电与声光 2002年第2期24卷 85-88页

作者：任天令杨磊刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤... 详细信息

随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达 1.12 GHz,带宽达 10 % ,插损为 11d

关键词： ZnO/SiO2/Si结构声表面波滤波器电路设计

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用于磁传感器的新结构磁电复合材料

复合材料学报 2011年第2期28卷 136-141页

作者：郑洋谢丹刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

研究了可用于磁场传感器的磁电复合材料,对传统的磁电复合材料进行了结构创新,采用条状PZT和Terfenol-D的材料体系,用热固树脂进行粘合,Terfenol-D沿长度方向磁化且PZT条沿厚度方向极化。与传统的1-3型复合不同的是:每根PZT的输出极被... 详细信息

研究了可用于磁场传感器的磁电复合材料,对传统的磁电复合材料进行了结构创新,采用条状PZT和Terfenol-D的材料体系,用热固树脂进行粘合,Terfenol-D沿长度方向磁化且PZT条沿厚度方向极化。与传统的1-3型复合不同的是:每根PZT的输出极被串联起来。在同样的磁场激励下,新型复合材料的输出电压为相同体积的同种结构复合材料的2.2倍,增强了材料对磁场的灵敏度和抗噪声性能。

关键词：磁电复合材料 PZT Terfenol-D 条状串联

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三维微机械电感的优化设计

固体电子学研究与进展 2004年第4期24卷 440-444页

作者：李雯谭智敏刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

研究了影响三维微机械电感电感值和Q值的主要因素 ,提出了电感值和Q值的理论计算模型。并利用该模型 ,对不同尺寸结构的三维微机械电感进行了数值模拟。根据理论计算的结果 ,得到了电感的优化结构 ,在 2 .5GHz的工作频率下 ,其电感值为 ... 详细信息

研究了影响三维微机械电感电感值和Q值的主要因素 ,提出了电感值和Q值的理论计算模型。并利用该模型 ,对不同尺寸结构的三维微机械电感进行了数值模拟。根据理论计算的结果 ,得到了电感的优化结构 ,在 2 .5GHz的工作频率下 ,其电感值为 11nH ,Q值为 9。

关键词：三维微电子机械系统电感优化设计

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BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

电子学报 1995年第11期23卷 11-15页

作者：陈萍李志坚刘理天清华大学微电子所

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力... 详细信息

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。

关键词：混合模式横向双极管 MOSFET 双极晶体管

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基于MOEMS技术的F-P光开关的设计

半导体光电 2001年第4期22卷 259-262页

作者：吴霁虹刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

Fabry -Perot(F -P)干涉仪是很多与波长相关的光学元器件的核心结构 ,通过研制基于MOEMS技术的F -P光开关 ,可以得到研制一大类MOEMS选频器件的基本设计方法和基本工艺步骤。文章给出了能完全与现有IC工艺相结合 ,采用Si,SiO2 和Si3N4 ... 详细信息

Fabry -Perot(F -P)干涉仪是很多与波长相关的光学元器件的核心结构 ,通过研制基于MOEMS技术的F -P光开关 ,可以得到研制一大类MOEMS选频器件的基本设计方法和基本工艺步骤。文章给出了能完全与现有IC工艺相结合 ,采用Si,SiO2 和Si3N4 材料的多层介质结构的F -P光开关的设计方法和设计尺寸及其光性能的模拟结果。

关键词： F—P干涉仪光开关 MOEMS技术

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一种新结构微型硅电容式麦克风的研制

电子学报 1997年第2期25卷 1-5页

作者：邹泉波刘理天李志坚清华大学微电子学研究所

本文提出一种新型的微型硅电容式麦克风结构及制造方法；单硅片纹膜结构及制造方法，首次实现了纹膜麦克风的制作．对这种结构的麦克风进行了初步设计并制造出一系列结构尺寸的微麦克风．实现了麦克风电容两极板有效区域的自对准．实验... 详细信息

本文提出一种新型的微型硅电容式麦克风结构及制造方法；单硅片纹膜结构及制造方法，首次实现了纹膜麦克风的制作．对这种结构的麦克风进行了初步设计并制造出一系列结构尺寸的微麦克风．实现了麦克风电容两极板有效区域的自对准．实验证明，纹膜结构大大降低了膜的内应力，且使电容有所增加，因而器件的灵敏度和重复性有了极大的改善．这种微麦克风制造工艺非常简单、可靠，由于是单硅片制造，无需双／多芯片的对准、粘接或键合，大大提高了生产效率和器件的性能．另外，采用了复合膜技术，进一步提高了麦克风的灵敏度．在ｌｍｍ２的膜片上，得到了６．８～１６．０ｍＶ／Ｐａ的开路灵敏度，频率带宽在８～１６ｋＨｚ范围．

关键词：微机械制造技术电容式麦克风纹膜结构受话器