Si中场致光整流效应的研究
Research of Field-Induced Optical-Rectification Effect of Si Material作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 吉林大学长春130012
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：2008年第33卷第9期
页 面：798-800页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果。
维普期刊数据库
同方期刊数据库