检索结果-南通市图书馆

电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

量子电子学报 2010年第4期27卷 436-442页

作者：于凤梅郭康贤王克强仲恺农业工程学院信息学院广东广州510225 广州大学物理与电子工程学院物理系广东广州510006

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计... 详细信息

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。

关键词：非线性光学光整流效应电子-声子相互作用 Morse势阱

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种特殊的非对称量子阱中的光整流效应

量子电子学报 2003年第3期20卷 283-286页

作者：俞友宾郭康贤于凤梅广州大学桂花岗校区物理系广州510405

运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在... 详细信息

运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径。

关键词：非线性密度矩阵光整流效应量子力学密度矩阵量子阱

Pschl-Teller势阱中的光整流效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光子学报 2001年第2期30卷 170-173页

作者：谭鹏郭康贤陈传誉广州师范学院物理系广州510405

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也... 详细信息

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也发生相应的变化 .因此我们可以通过调节 k和 λ的取值而获得 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的变化规律 ,并找到其最大值。

关键词： Poeschl-Teller势阱光整流效应密度矩阵算符量子力学非线性光学

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Si中场致光整流效应的研究

半导体技术 2008年第9期33卷 798-800页

作者：韩焕鹏张晓婷刘锋中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 吉林大学长春130012

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,... 详细信息

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果。

关键词：电场诱导光整流效应光生电压

氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2007年第2期28卷 231-236页

作者：张立番禺职业技术学院电子与机械系广东番禺511483

考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/In... 详细信息

考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。

关键词：氮化物半导体耦合量子阱内建电场光整流效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究

硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究

作者：孙鉴波吉林大学

学位级别：硕士

本论文首先从理论上分析了直流电场对硅材料的反演对称性的破坏作用,根据推导出的等效二阶非线性光学极化率的形式,证明直流电场沿[100],[ 011]和[111]晶向时,硅材料的对称性将由O h点群分别降低为C4 v, C2 v和C3 v点群。从而,我们推断... 详细信息

本论文首先从理论上分析了直流电场对硅材料的反演对称性的破坏作用,根据推导出的等效二阶非线性光学极化率的形式,证明直流电场沿[100],[ 011]和[111]晶向时,硅材料的对称性将由O h点群分别降低为C4 v, C2 v和C3 v点群。从而,我们推断硅材料中将具有直流电场诱导的场致普克尔斯效应和场致光整流效应。在此基础上,我们以沿(111)面切割的近本证硅材料为样品,设计了金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)型样品结构,采用Bias Tee电路在硅样品上同时沿[111]晶向施加直流电场和交流电信号,从实验上证明了硅样品中存在场致普克尔斯,并观测到在相同的交流调制电场作用下,电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增大。此外,在同样的硅样品中,还观测到了场致光整流效应。通过测量光整流信号随入射线偏振光方位角的变化关系,证明在[111]晶向直流电场作用下,硅材料的确具有C3 v点群对称特征。进一步实验证实,场致光整流信号也随外加直流偏压的增加而线性增大。所得到的这些研究结果将为设计和研制新型硅基光电器件提供理论和实验依据,将有力推动硅基光电子学的发展。论文中所采用的研究方法对研究其它具有反演对称性的材料的非线性光学性质也具有重要参考价值。

关键词：电场诱导普克尔斯效应光整流效应硅的对称性电光调制

基于非周期极化铌酸锂晶体产生任意频率太赫兹辐射

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2011年第3期30卷 221-223,283页

作者：毋雪朱巧芬张岩首都师范大学物理系太赫兹波谱与成像北京市重点实验室太赫兹光电子学省部共建教育部重点实验室北京100048 北京工业大学应用数理学院北京100124

理论上研究并论证了飞秒激光在非周期性极化畴反转的铌酸锂晶体(LN)中由光整流效应产生任意频率、窄带的太赫兹(THz)波辐射的可行性.为实现对THz波谱的整形,文中利用模拟退火(SA)算法设计出铌酸锂晶体的极化畴反转结构的最佳模型,由此... 详细信息

理论上研究并论证了飞秒激光在非周期性极化畴反转的铌酸锂晶体(LN)中由光整流效应产生任意频率、窄带的太赫兹(THz)波辐射的可行性.为实现对THz波谱的整形,文中利用模拟退火(SA)算法设计出铌酸锂晶体的极化畴反转结构的最佳模型,由此可产生任意预置时间波形的THz辐射场.结果表明,SA算法是一种有效的通过设计晶体极化畴反转结构,实现对THz时间波形整形的方法.

关键词：光学 THz波模拟退火算法极化畴反转结构光整流效应准相位匹配

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

隧道结纳米器件中的光电流调制与因素分析

中国激光 2023年第23期50卷 238-245页

作者：沈逸曾标峰郑臻荣唐龙华浙江大学光电科学与工程学院浙江杭州310027

激光耦合隧道结器件是国际前沿研究热点,伴随产生的电磁场局域增强或光整流等效应在等离激元光镊、单分子成像、单光子光源等领域有着重要的应用价值。为了解隧道结中的光电相互作用和特性,首先利用反馈电沉积制备获得了固态隧道结纳米... 详细信息

激光耦合隧道结器件是国际前沿研究热点,伴随产生的电磁场局域增强或光整流等效应在等离激元光镊、单分子成像、单光子光源等领域有着重要的应用价值。为了解隧道结中的光电相互作用和特性,首先利用反馈电沉积制备获得了固态隧道结纳米器件,然后测定了激光功率、偏置电压、偏振方向和调制频率与光电流的关系,并结合有限元法和时域有限差分方法进行理论仿真,讨论了器件中光电流的组分及相关效应。结果表明,器件局部热膨胀效应、热伏效应和热载流子效应为光电流产生的主要原因,而光整流效应因受限于激光峰值功率,其结果并不显著。这些发现可为固态隧道结器件中的光学调控以及在纳米尺度上研究激光调制电子隧穿过程提供参考。

关键词：光学器件隧道结纳米器件光电流热效应光整流效应等离激元效应

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光子学报 2010年第12期39卷 2209-2214页

作者：王仍林杏潮张丽萍张可锋焦翠玲陆液邵秀华陆荣葛进胡淑红戴宁中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样... 详细信息

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.

关键词：太赫兹辐射光整流效应电光效应 ZnTe单晶〈331〉晶向