ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

作     者：余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊 YU Xu-hu;MA Jin;JI Feng;WANG Yu-heng;ZONG Fu-jian;ZHANG Xi-jiang;CHENG Chuan-fu;MA Hong-lei

作者机构：山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东师范大学物理系山东济南250014 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第Z1期

页      面：1131-1133页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：教育部科学技术研究重点项目(02165) 博士点基金资助项目(20020422056) 

主　　题：磁控溅射 ZnO:Ga 光电特性 

摘      要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.