检索结果-南通市图书馆

红外与毫米波学报 2001年第4期20卷 318-320页

作者：程兴奎马洪磊周均铭黄绮山东大学光电材料与器件研究所山东济南250100 中国科学院物理研究所北京100080

在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .

关键词：多量子阱结构光电流电子干涉

用于高温和高频领域的PbTiO_3基陶瓷的研究

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压电与声光 2002年第4期24卷 280-282页

作者：肖洪地王成建马洪磊山东大学物理与微电子学院济南250100

主要研究用于高温和高频领域的 Pb Ti O3基陶瓷的制备工艺、主要性质、显微结构、电导机制及其应用。 Pb Ti O3基陶瓷的性质是与此种陶瓷的制备工艺 ,显微结构和电导机制紧密相关的。

关键词：压电陶瓷制备工艺掺杂元素固溶体钛酸铅电子材料

磁控溅射有机聚合物衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电性能研究

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太阳能学报 2003年第1期24卷 10-13页

作者：马瑾张士勇郝晓涛马洪磊山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所济南250100 长安大学基础部物理组西安710064

采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可... 详细信息

采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可见光区透过率达到 74 % ,最低电阻率为 8.5× 10 -4Ω·cm。

关键词：有机衬底 ZnO:Al 光电性质

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锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响

功能材料 2008年第9期39卷 1423-1424,1429页

作者：计峰马瑾马洪磊山东大学物理学院山东济南250100

采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间... 详细信息

采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。

关键词：磁控溅射 SnO2:Sb薄膜光致发光

a-Si(H)太阳电池内电场及收集效率的计算

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太阳能学报 1989年第4期10卷 228-235页

作者：张德恒余恬马洪磊山东大学

在对隙态密度的分布作U形近似并考虑存在D^+、D^-缺陷峰的条件下,计算了a-Si(H)太阳电池 i层内电场的分布,对最小隙态密度g_(min)、费米能级对带隙中心的偏离△E_F和势垒高度cV_D的依赖关系及不同情况下光生载流子的收集效率。结果表明,... 详细信息

在对隙态密度的分布作U形近似并考虑存在D^+、D^-缺陷峰的条件下,计算了a-Si(H)太阳电池 i层内电场的分布,对最小隙态密度g_(min)、费米能级对带隙中心的偏离△E_F和势垒高度cV_D的依赖关系及不同情况下光生载流子的收集效率。结果表明,g_(min)和△E_F是影响i层内电场分布的主要因素,而缺陷峰的影响则很小。光生载流子的收集效率对内电场分布的依赖关系很不明显,而对i层的势垒高度eV_D、热激活距离r_0、空穴的扩散长度L_p等却有明显的依赖关系。

关键词： a-si(H) 太阳电池内电场收集效率

磁控溅射有机衬底ZnO∶SnO_2透明导电膜的结构和光电特性

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功能材料 2004年第5期35卷 630-631,634页

作者：黄树来马瑾计峰余旭浒王玉恒马洪磊山东大学物理与微电子学院山东济南250100

　采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜。研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω·cm,可见光平均透过... 详细信息

　采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜。研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω·cm,可见光平均透过率>82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。

关键词：有机衬底 ZnO:SnO薄膜磁控溅射

Cr-Mo微合金冷镦钢的显微组织、力学性能及强化机制

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金属学报 2022年第9期58卷 1189-1198页

作者：陈继林冯光宏马洪磊杨栋刘维钢铁研究总院冶金工艺研究所北京100081 邢台钢铁有限责任公司邢台054027 河北省线材工程技术研究中心邢台054027

采用OM、SEM、TEM、拉伸实验和硬度测试等方法,对Cr-Mo微合金化冷镦钢在不同控轧控冷(TMCP)工艺下的组织与力学性能进行了表征和测试,并分析了强化机制。结果表明,TMCP工艺参数对Cr-Mo微合金化冷镦钢的组织与力学性能有显著影响,随着终... 详细信息

采用OM、SEM、TEM、拉伸实验和硬度测试等方法,对Cr-Mo微合金化冷镦钢在不同控轧控冷(TMCP)工艺下的组织与力学性能进行了表征和测试,并分析了强化机制。结果表明,TMCP工艺参数对Cr-Mo微合金化冷镦钢的组织与力学性能有显著影响,随着终轧温度的升高及冷速的增加,钢中铁素体及珠光体的复相组织逐渐向贝氏体铁素体转变,位错密度逐渐增加,抗拉强度呈现单调上升的规律,而延伸率呈起伏趋势。在终轧温度为935℃时,显微组织主要为均匀分布的短棒状和粒状贝氏体相,其间存在位错缠结,该工艺下具有最佳的强韧性匹配,其抗拉强度和延伸率分别达到了925 MPa和20%,距淬火端部7 mm(J7)处的硬度为53.1 HRC。终轧温度为900℃时,细晶强化是最主要的强化机制,占总强度的31%~36%;终轧温度在935℃以上时,位错强化为主要强化机制,占总强度的35%~38%。淬透性结果表明,Cr-Mo微合金化冷镦钢的淬透性不受显微组织及力学性能的影响,保持着良好的淬火性能,同时建立了Cr-Mo微合金钢的端淬曲线的模型,实现了淬透性的预测。

关键词： Cr-Mo微合金化冷镦钢终轧温度强化机制

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既有线有砟普速铁路轨道整正算法研究

既有线有砟普速铁路轨道整正算法研究

作者：马洪磊西南交通大学

学位级别：硕士

随着国民经济的不断发展,我国铁路既有线的运输量正急剧上升,这给我国铁路既有线的养护提出了更高的要求,传统的“相对作业法”已越来越难以满足我国铁路既有线的养护要求。尽管轨道几何状态测量仪在高速铁路中取得了比较好的应用效果,... 详细信息

随着国民经济的不断发展,我国铁路既有线的运输量正急剧上升,这给我国铁路既有线的养护提出了更高的要求,传统的“相对作业法”已越来越难以满足我国铁路既有线的养护要求。尽管轨道几何状态测量仪在高速铁路中取得了比较好的应用效果,但利用该设备进行轨道测量具有成本高且效率低的缺点。为此,中铁咨询和西南交通大学分别独立研制了单轨测量装置和轨道分中测量器,专门用于有砟铁路的轨道测量。随着有砟铁路轨道独立测量设备的出现,研究以不在同一里程处的左、右轨道离散三维坐标为原始观测数据的既有线有砟普速铁路轨道整正算法已经刻不容缓。鉴于以上原因,本文主要对以下一些具体问题进行研究:1)以不在同一里程处的左、右轨道三维实测坐标为原始观测数据,准确的计算出铁路既有线的实测线形信息;2)根据原始观测数据和铁路平、纵断面基准线形参数等信息计算出适用于捣固车作业的起、拨道量;3)研制适用于既有线有砟普速铁路轨道整正的数据处理软件,使计算结果可直接应用于捣固车的起、拨道作业中。通过对上述问题的研究,本文所得主要结论和成果如下:1)将抗差估计方法引入到既有线有砟普速铁路轨道线形分段和拟合中。该方法能够有效的削弱粗差和轨道局部变形对线形分段和拟合的不良影响;2)推导并介绍了三种线路中线直线参数和圆曲线参数计算方法,并分别对三种方法的实际计算效果进行了验证和对比。此外,还推导了一种单参数纵断面圆曲线拟合模型,并验证了该模型的正确性和有效性。3)介绍了轨道横、竖向偏差的严密计算方法。此外,还介绍了利用三次样条插值原理计算任意里程线路中线拨道量和基准轨起道量的方法;4)研制了轨道整正计算软件。该软件实现了既有线有砟普速铁路轨道整正的大部分计算工作。此外,该软件还能生成适用于捣固车的VER文件和GEO文件。

关键词：既有线普速铁路轨道整正线形分段线形拟合抗差估计起、拨道量

Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构特性研究

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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无机材料学报 2006年第1期21卷 235-238页

作者：张锡健马洪磊王卿璞马瑾山东大学物理与微电子学院济南250100

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,... 详细信息

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等． Raman光谱不仅揭示 MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好． AFM图像则显示出Mg=Zn1-xO薄膜为多晶结构．

关键词： MgxZn1-xO 射频磁控溅射结构特性

有机衬底SnO_2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

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物理学报 2002年第2期51卷 351-354页

作者：郝晓涛马瑾徐现刚杨莺歌张德恒杨田林马洪磊山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 淄博学院数理系淄博255000

常温下 ,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 .性能良好的薄膜电阻率为 6 .5× 10 - 3Ω·cm ,载流子浓度... 详细信息

常温下 ,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 .性能良好的薄膜电阻率为 6 .5× 10 - 3Ω·cm ,载流子浓度为 1.2× 10 2 0 cm- 3 ,霍耳迁移率是 9.7cm2 ·V- 1 ·s- 1 .薄膜在可见光区的平均透过率达到了 85 %.

关键词：柔性衬底 SnO2:Sb透明导电膜射频磁控溅射法制备氧化锡锡光学透过率光电性质结构