GaAs／InP键合电学性质的研究

作     者：何国荣 渠红伟 杨国华 郑婉华 陈良惠 HE Guo-rong;Qu Hong-wei;YANG Guo-hua;ZHENG Wan-hua;CHEN Liang-hui

作者机构：深圳信息职业技术学院电子通信技术系广东深圳518029 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 

出 版 物：《量子电子学报》 (Chinese Journal of Quantum Electronics)

年 卷 期：2010年第27卷第4期

页      面：469-473页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(60837001) 信息学院青年自然科学基金(QN-08011)资助项目 

主　　题：材料 界面态密度 热电子发射 键合 

摘      要：Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型。利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度。实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性。