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极小孔半导体激光器近场区光场分布研究

光子学报 2003年第12期32卷 1409-1412页

作者：康香宁宋国峰孙永伟陈良惠中科院半导体所光电子器件国家工程中心北京100083

利用时域有限差分法 (FDTD)计算和分析了极小孔半导体激光器输出光端面附近的光场分布 ,指出小孔激光器近场区域光场分布的特点 ,讨论了小孔大小和金属厚度对光场分布和光源分辨率的影响。

关键词：时域有限差分法近场光学极小孔激光器

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大功率分布反馈激光器中光栅优化及试验

物理学报 2007年第3期56卷 1613-1616页

作者：付生辉宋国峰陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083

对于分布反馈激光器来说,光栅的耦合系数是一个重要参数.利用改进的耦合波理论计算了具体器件结构中光栅形貌对二级光栅耦合系数的影响.在此基础上制作的器件功率达到了单面50mW,边模抑制比为36dB.

关键词： DFB激光器耦合波理论二级光栅边模抑制比

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半导体激光器研究进展

中国激光 2020年第5期47卷 5-23页

作者：陈良惠杨国文刘育衔中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室陕西西安710119 度亘激光技术(苏州)有限公司江苏苏州215123

半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体... 详细信息

半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905 nm隧道结激光器和940 nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。

关键词：激光器半导体激光器边发射激光器垂直腔面发射激光器红外激光器

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吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响

光子学报 2005年第1期34卷 18-21页

作者：侯识华赵鼎叶晓军钟源谭满清陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院电子学研究所北京100080

采用光学传输矩阵方法 ,详细分析了反射镜以及键合界面的吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响结果表明 ,反射镜以及键合界面的吸收对反射镜和垂直腔面发射激光器的反射率和势透射率有较大影响 ,而对反射镜中心波长处的反射相移以... 详细信息

采用光学传输矩阵方法 ,详细分析了反射镜以及键合界面的吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响结果表明 ,反射镜以及键合界面的吸收对反射镜和垂直腔面发射激光器的反射率和势透射率有较大影响 ,而对反射镜中心波长处的反射相移以及垂直腔面发射激光器模式的反射相移和模式位置影响很小随着反射镜以及键合界面的吸收增大 ,反射镜中心波长处的反射率逐渐减小 ,垂直腔面发射激光器的模式反射率变化则是先急剧减小 ,达到一个极小值 ,然后再逐渐增大 ,而反射镜中心波长处以及垂直腔面发射激光器模式处的势透射率则都是迅速降低的此外 ,将有吸收的键合界面离有源区的距离远一些。

关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合吸收反射率反射相移势透射率

Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展

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红外与激光工程 2008年第1期37卷 1-8页

作者：陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083

近年来,经济社会和武器装备的信息化对半导体光电子学器件提出了更高的要求,无论是国防还是民用工程都需要有自己的关键器件。光电探测器组件作为关键器件之一,世界各国都给予了高度重视,也取得了很大的进展。文中主要介绍了Ⅲ"Ⅴ族半... 详细信息

近年来,经济社会和武器装备的信息化对半导体光电子学器件提出了更高的要求,无论是国防还是民用工程都需要有自己的关键器件。光电探测器组件作为关键器件之一,世界各国都给予了高度重视,也取得了很大的进展。文中主要介绍了Ⅲ"Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器的研究进展情况,包括量子阱红外探测器(QWIP)、AlGaN紫外焦平面探测器、InGaAs近红外室温焦平面探测器和Sb化物焦平面探测器等。

关键词：探测器量子效率带宽红外探测器紫外探测器焦平面

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

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物理学报 2007年第9期56卷 5429-5435页

作者：杨晓杰王青马文全陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083

根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波... 详细信息

根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50μm蓝移到11.87μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04μm红移到1.73μm;随着量子点高度从1.0nm增加到5.0nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12μm(5.90μm)红移到53.47μm(31.87μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13μm(1.60μm)红移到1.27μm(2.01μm).

关键词： InGaAs 量子点带内跃迁八带k·p理论

认知视角下的中韩初级综合教材对比分析 ——兼及韩国汉语教材的本土化建议

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认知视角下的中韩初级综合教材对比分析 ——兼及韩国汉语教材的...

作者：陈良惠苏州大学

学位级别：硕士

近些年来,随着中国国际影响力的逐步上升,带动了“汉语热”的持续升温。世界范围内学习汉语的人数不断攀升,越来越多的外国人对中国文化产生兴趣,所以出版了大量针对来华留学生的初级综合汉语教材。本文研究的《发展汉语Ⅰ》是普通高等... 详细信息

近些年来,随着中国国际影响力的逐步上升,带动了“汉语热”的持续升温。世界范围内学习汉语的人数不断攀升,越来越多的外国人对中国文化产生兴趣,所以出版了大量针对来华留学生的初级综合汉语教材。本文研究的《发展汉语Ⅰ》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材,在国内被广泛使用。而作为中国的邻邦——韩国,是学习汉语人数最多的国家之一。随着中韩两国战略合作伙伴关系的实质化,两国在各个领域的交流逐步深入,许多韩国人逐渐认识到学习汉语的必要性,韩国各个阶段的学校都开设了汉语选修课。因此韩国当地出版了丰富多样的汉语教材供学习者和教师使用,本文研究的《中国语Ⅰ》是韩国教育部认证的汉语综合型教材之一,具有普遍性。教材是教师和学生的课堂沟通“桥梁”,是教学者和学习者的使用材料。一部好的、质量高的对外汉语教材可以起到事半功倍的效果。教材的编写应遵循第二语言学习规律,落实教材编写原则以及满足学生的需要。而第二语言的发展离不开认知规律的研究,本文将从认知视角对中韩两本教材进行形式和内容的对比分析,目的在于通过认知视角下的对比发现《发展汉语Ⅰ》存在的编写问题,吸取国外汉语教材的优点与编写经验,为国内汉语教材的本土化改造提供一些建议。得出国内的汉语教材应在文字编排、插图总数及分布、内容编排、练习种类及分布、词汇、语法及练习的设计和安排上做出改变。

关键词：认知视角中韩汉语教材对比本土化