高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率
High(100)-orientation and High Dielectric Tunability of (Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3 Thin Films作者机构：广东工业大学自动化学院 广东工业大学物理与光电工程学院广东广州510090 香港理工大学应用物理系
出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)
年 卷 期：2005年第24卷第12期
页 面：29-31,34页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值
摘 要：用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.
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