检索结果-南通市图书馆

相场方法研究定向退火条件下柱状晶粒的形成过程

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广西物理 2013年第1期34卷 9-13页

作者：罗志荣刘瑶邓芊芊黄礼琳高英俊广西大学物理科学与工程技术学院广西南宁530004

根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实... 详细信息

根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。

关键词：相场方法定向退火晶界迁移率柱状晶粒晶粒长大

莫来石晶粒柱状生长对莫来石基陶瓷力学性能的影响

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硅酸盐通报 1999年第4期18卷 10-13页

作者：蔡舒孟佳宏陈玉如杨正方袁启明天津大学材料学院无机非金属材料系

将ＡｌＦ３加入莫来石（莫来石／氧化锆）先质中，生坯试样经密闭处理及常压烧结，可获得莫来石柱状晶粒生长。实验结果表明：莫来石柱状生长使莫来石陶瓷在其强度不下降的前提下，韧性提高，且随柱状晶粒粒径增大而增加有类似架桥作用... 详细信息

将ＡｌＦ３加入莫来石（莫来石／氧化锆）先质中，生坯试样经密闭处理及常压烧结，可获得莫来石柱状晶粒生长。实验结果表明：莫来石柱状生长使莫来石陶瓷在其强度不下降的前提下，韧性提高，且随柱状晶粒粒径增大而增加有类似架桥作用。ＺＴＭ（含ＡｌＦ３）材料韧性的提高是由于莫来石柱状晶粒生长使ｔ－ＺｒＯ２形态发生了变化，具有较大长径比或有尖角的不规则形态的ｔ－ＺｒＯ２晶粒容易发生应力诱导相变。

关键词：莫来石氧化锆柱状晶粒陶瓷力学性

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自增韧α-sialon陶瓷的研究进展

硅酸盐学报 2003年第3期31卷 292-295页

作者：刘光华陈克新葛振斌周和平清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

Sialon陶瓷因其具有优异的高温机械性能而成为最重要的结构陶瓷材料之一。与Si3N4相似 ,sialon陶瓷也具有α ,β两种晶体结构 ,β-sialon具有较高的断裂韧性 ,而α -sialon具有更高的硬度。文中综合介绍了α -sialon陶瓷的结构和性质 ,... 详细信息

Sialon陶瓷因其具有优异的高温机械性能而成为最重要的结构陶瓷材料之一。与Si3N4相似 ,sialon陶瓷也具有α ,β两种晶体结构 ,β-sialon具有较高的断裂韧性 ,而α -sialon具有更高的硬度。文中综合介绍了α -sialon陶瓷的结构和性质 ,以及目前国内外自增韧α -sialon陶瓷的研究情况 ,具体阐述了两种制备自增韧α -sialon陶瓷的方法 :( 1)通过控制形核过程的热力学特点 ,在烧结体内原位生长柱状α -sialon晶粒以得到自增韧α -sialon陶瓷 ;( 2 )采用燃烧合成工艺 ,制备单相柱状α -sialon粉体。

关键词：自增韧α-sialon 柱状晶粒原位生长燃烧合成

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定向凝固合金DZ-38G的滑移形变与断裂

金属学报 1987年第3期23卷 243-245页

作者：尹万全高薇朱桂秋胡壮麒中国科学院金属研究所

本文目的是研究定向凝固合金中滑移形变与显微组织的关系,并讨论定向凝固合金的微观结构及柱状晶晶界平直度对裂纹传播和断裂的影响。

关键词：柱状晶粒枝晶共晶枝蔓晶体晶体滑移线碳化物碳化合物定向凝固合金 DZ-38G 形变

基于ANFIS方法的连续定向凝固BFe10-1-1合金的压缩流变应力模型

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同方期刊数据库

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北京科技大学学报 2011年第5期33卷 600-605页

作者：甘春雷刘雪峰黄海友谢建新北京科技大学材料先进制备技术教育部重点试验室北京100083

以连续定向凝固柱状晶组织BFe10-1-1合金在应变速率为0.01～10s^(-1)和变形温度为25～500℃条件下的压缩试验所得实测数据为基础,采用自适应神经网络模糊推理系统(ANFIS)方法,建立了连续柱状晶组织BFe10-1-1合金压缩变形真应力与变形温... 详细信息

以连续定向凝固柱状晶组织BFe10-1-1合金在应变速率为0.01～10s^(-1)和变形温度为25～500℃条件下的压缩试验所得实测数据为基础,采用自适应神经网络模糊推理系统(ANFIS)方法,建立了连续柱状晶组织BFe10-1-1合金压缩变形真应力与变形温度、应变速率和真应变关系的预测模型.结果表明:ANFIS模型预测的流变应力值与试验值之间的平均误差为0.75%,均方根误差为2.13,相关系数为0.9996,很好地反映了实际变形过程的特征,而在相同情况下采用传统回归模型预测的平均误差为6.28%,表明ANFIS模型具有优良的预测精度.

关键词：铜镍合金压缩变形柱状晶粒流变应力数学模型自适应神经网络模糊推理系统

La2O3添加剂对ZTM陶瓷中柱状莫来石晶粒自生长的影响

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La2O3添加剂对ZTM陶瓷中柱状莫来石晶粒自生长的影响

第十一届全国高技术陶瓷学术年会

作者：蔡舒孟佳宏袁启明天津大学材料学院无机非金属材料系

在以富铝莫来石为基质的ZTM(2.0mol%YO)材料中加入LaO,制备出致密烧结的ZTM(La2)试样。试样显微结构由柱状莫来石晶粒和等轴状晶粒组成。LaO与莫来石中AlO反应生成LaAlO,并作为高铝莫来石晶粒的晶种,在烧结过程形成的液相作用下发育长... 详细信息

在以富铝莫来石为基质的ZTM(2.0mol%YO)材料中加入LaO,制备出致密烧结的ZTM(La2)试样。试样显微结构由柱状莫来石晶粒和等轴状晶粒组成。LaO与莫来石中AlO反应生成LaAlO,并作为高铝莫来石晶粒的晶种,在烧结过程形成的液相作用下发育长大为粒状莫来石晶粒。高铝莫来石晶种的存在是柱状莫来石晶粒生成的必要条件。

关键词：富铝莫来石 La2O3 柱状晶粒

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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自韧氮化硅陶瓷技术

材料工程 1996年第7期24卷 31-32页

作者：赵振波梁胜德于胜东北京理工大学

概述了自韧氮化硅陶瓷技术的最新进展，并对影响柱状氮化硅陶瓷原位形成的因素及影响自韧氮化硅陶瓷断裂韧性的因素进行了分析。

关键词：氮化硅自韧氮化硅断裂韧性柱状晶粒陶瓷

高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率

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电子元件与材料 2005年第12期24卷 29-31,34页

作者：蒋力立黄开胜唐新桂陈王丽华广东工业大学自动化学院广东工业大学物理与光电工程学院广东广州510090 香港理工大学应用物理系

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST3... 详细信息

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.

关键词：无机非金属材料钛酸锶钡薄膜脉冲激光沉积柱状晶粒介电调谐特性探测优值

PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜

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电子元件与材料 2007年第1期26卷 46-48,51页

作者：唐新桂梁建烈农亮勤熊惠芳陈王丽华广西民族大学物理与电子工程学院广西南宁530006 广东工业大学物理与光电工程学院广东广州510006 香港理工大学应用物理系

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz... 详细信息

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。

关键词：无机非金属材料锆钛酸钡薄膜脉冲激光沉积柱状晶粒介电调谐特性探测优值