PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜

作     者：唐新桂 梁建烈 农亮勤 熊惠芳 陈王丽华 TANG Xin-gui;LIANG Jian-lie;NONG Liang-qin;XIONG Hui-fang;CHAN WONG lai-wah

作者机构：广西民族大学物理与电子工程学院广西南宁530006 广东工业大学物理与光电工程学院广东广州510006 香港理工大学应用物理系 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2007年第26卷第1期

页      面：46-48,51页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：广东省自然科学基金资助项目(No.05001825) 

主　　题：无机非金属材料 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值 

摘      要：用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。