检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

钛酸锶钡薄膜的电子显微研究

电子显微学报 2002年第5期21卷 687-688页

作者：金红政朱静清华大学材料科学与工程系北京100084

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高，也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层（非晶SiO_2）的厚度来满足动态随机存储器向高集成度... 详细信息

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高，也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层（非晶SiO_2）的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而，当电介质的厚度小到一定程度后，电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作，这个厚度就是它的极限厚度。约80年代末期，人们开始普遍的关注到这个极限的到来，并开始寻找解决的途径。其是最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的SiO_2，也就是通过提高电介质的介电系数来提高芯片的集成度。其中，钙钛矿结构的钛酸锶钡[(Ba,Sr)TiO_3，简称BST]作为一种介电系数很高且性能优异的陶瓷材料受到了广泛的关注。

关键词：钛酸锶钡薄膜电子显微动态随机存储器实验研究界面结构介电系数

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

螯合剂对钛酸锶钡薄膜结构与性能的影响

硅酸盐学报 2005年第7期33卷 882-886页

作者：付兴华傅正义丁碧妍单连伟韦其红侯文萍武汉理工大学济南大学材料学院济南250022

采用阻抗分析、差热分析、X射线衍射、透射电镜等方法研究了螯合剂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能的影响。当乙酰丙酮作为螯合剂时,它与Ti(COC4H9)4螯合形成网络骨架结构,Ba2+,Sr2+均匀地分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分... 详细信息

采用阻抗分析、差热分析、X射线衍射、透射电镜等方法研究了螯合剂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能的影响。当乙酰丙酮作为螯合剂时,它与Ti(COC4H9)4螯合形成网络骨架结构,Ba2+,Sr2+均匀地分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,使钙钛矿的形成温度降低了约60℃。薄膜表面颗粒分布均匀,孔洞少,比较致密。晶粒的平均粒径均为80nm,晶格条纹间距约为0.296nm,晶界两侧的晶粒取向是随机的;畴的宽度约为1～2nm。薄膜具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。

关键词：螯合剂钛酸锶钡薄膜介电性能结构特征畴

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

铈掺杂钛酸锶钡薄膜的结构及介电性能

稀有金属材料与工程 2009年第A2期38卷 624-626页

作者：傅向军廖家轩张佳潘笑风王洪全魏雄邦电子科技大学四川成都610054

用改善的溶胶凝胶法制备铈掺杂钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,研究其结构与介电性能。X射线光电子能谱表明,铈掺杂显著地减少了薄膜表面非钙钛矿结构。但是,由于掺杂薄膜较薄且掺杂量小,X射线衍射结果未见明显变化。原子力显微镜结... 详细信息

用改善的溶胶凝胶法制备铈掺杂钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,研究其结构与介电性能。X射线光电子能谱表明,铈掺杂显著地减少了薄膜表面非钙钛矿结构。但是,由于掺杂薄膜较薄且掺杂量小,X射线衍射结果未见明显变化。原子力显微镜结果表明,掺杂BST薄膜表面光滑致密。掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265。同时,就有关结构及介电性能改善的机制进行了讨论。

关键词：铈掺杂钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构介电性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜的结构及性能

稀有金属材料与工程 2007年第A1期36卷 970-972页

作者：廖家轩李恩求田忠许江杨海光电子科技大学电子科学技术研究院四川成都610054

用中频磁控溅射制备了钛酸锶钡Ba0.6Sr0.4TiO3(简称MF-BST)薄膜,并对该薄膜进行原位晶化。XPS表明,MF-BST薄膜的表面成分Ba0.58Sr0.42Ti1.01O2.95和膜体成分Ba0.6Sr0.4TiO3接近,主要由钙钛矿结构的BST组成。AFM表明,MF-BST薄膜的表面光滑致密。XRD表明,MF-BST薄膜晶化完全,呈(111)择优。XTEM观察及XPS刻蚀表明MF-BST/Pt界面过渡层约2nm厚,含少量的TixPtyOz。MF-BST薄膜电容器具有高达1200的介电常数及低达10-9A/cm2的漏电流密度。同时,该薄膜的结构及介电性能与射频磁控溅射及非原位晶化的Ba0.6Sr0.4TiO3(简称RF-BST)薄膜进行了比较。

关键词：中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构

磁控溅射参数对钛酸锶钡薄膜生长及介电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

陕西师范大学学报（自然科学版） 2014年第5期42卷 37-42页

作者：谢晓康缑园渊杨佳边小兵周剑平陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710119

在Pt/Ti/SiO2/Si(110)衬底上利用射频磁控溅射法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜.基于薄膜的形核理论,研究了成膜时间、衬底温度、溅射功率、溅射气压、氧氩比、退火热处理等参数对薄膜的表面形貌和介电性能的影响.结果表明:在其他溅射参... 详细信息

在Pt/Ti/SiO2/Si(110)衬底上利用射频磁控溅射法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜.基于薄膜的形核理论,研究了成膜时间、衬底温度、溅射功率、溅射气压、氧氩比、退火热处理等参数对薄膜的表面形貌和介电性能的影响.结果表明:在其他溅射参数一定的条件下,薄膜的厚度随溅射时间成指数关系增长;在退火温度600℃下热处理20min薄膜完全晶化;调节衬底温度、溅射功率、溅射气压等参数有助于制备出表面致密、晶粒大小均匀、具有高介电常数和低损耗的BST薄膜.

关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜表面形貌介电性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展

材料导报 2005年第6期19卷 102-104,113页

作者：邢光建杨志民毛昌辉杜军北京有色金属研究总院能源中心北京100088

随着 DRAMs 存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的 DRAMs 技术的发展。在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注。介绍了随 DRAMs 的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究... 详细信息

随着 DRAMs 存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的 DRAMs 技术的发展。在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注。介绍了随 DRAMs 的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题。

关键词：钛酸锶钡薄膜研究进展应用介电性能存储密度传统材料替代材料发展趋势制备方法研究状况研究工作

电子束辐照下钛酸锶钡薄膜的子能量损失谱研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学（E辑） 2004年第9期34卷 961-968页

作者：饶杰朱静清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室北京100084

实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2nA/cm2),BST薄膜有辐照损伤现象发生.原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电离边峰强度比和相对位移的变化表明:损伤过程主要表现为薄膜失氧及其导致的正离子化学价态的变化.具高空... 详细信息

实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2nA/cm2),BST薄膜有辐照损伤现象发生.原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电离边峰强度比和相对位移的变化表明:损伤过程主要表现为薄膜失氧及其导致的正离子化学价态的变化.具高空间分辨的电子能量损失谱研究证明:相对于具有完整晶体结构的柱状晶晶粒内部,有着特殊结构和化学环境的柱状晶晶粒边界是失氧的主要途径.

关键词：电子束辐照钛酸锶钡薄膜电子能量损失谱辐照损伤

磁控溅射参数对钛酸锶钡薄膜生长及介电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

陕西师范大学学报（自然科学版） 2016年第6期44卷 26-30页

作者：杨佳张运英谢晓康边小兵周剑平陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710119

使用射频磁控溅射系统在Pt/SiO_2/Si基片上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,研究了溅射过程中氧氩比与溅射总气压对BST薄膜生长过程及介电性能的影响。通过XRD衍射仪、原子力显微镜等对在不同条件下制备出的薄膜样品进行了性能测... 详细信息

使用射频磁控溅射系统在Pt/SiO_2/Si基片上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,研究了溅射过程中氧氩比与溅射总气压对BST薄膜生长过程及介电性能的影响。通过XRD衍射仪、原子力显微镜等对在不同条件下制备出的薄膜样品进行了性能测试和分析。结果表明:增加氧氩比能够增加薄膜表面晶粒尺寸,提升薄膜的结晶度,增加薄膜的介电常数并降低介电损耗,但同时也会降低薄膜的沉积速率;增加溅射气压会导致薄膜表面晶粒尺寸减小、结晶度降低,薄膜的沉积速率随着溅射气压的增加呈现先增加后降低(溅射气压大于2Pa时)的趋势。

关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜表面形貌沉积速率介电性能

溶胶凝胶法制备〈100〉择优取向钛酸锶钡薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稀有金属材料与工程 2005年第Z2期34卷 748-750页

作者：赵建玲王晓慧李龙土清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

采用适当热处理工艺得到择优取向Ni片,通过溶胶凝胶方法制备〈100〉择优取向BST薄膜,并对薄膜的铁电性及漏电流特性进行了初步研究.结果表明:以三氟乙酸代替冰醋酸、以异丙醇钛代替钛酸四丁酯更易得到〈100〉取向BST薄膜,该薄膜在还原... 详细信息

采用适当热处理工艺得到择优取向Ni片,通过溶胶凝胶方法制备〈100〉择优取向BST薄膜,并对薄膜的铁电性及漏电流特性进行了初步研究.结果表明:以三氟乙酸代替冰醋酸、以异丙醇钛代替钛酸四丁酯更易得到〈100〉取向BST薄膜,该薄膜在还原气氛中(H2/N2=3/97)热处理后得到〈100〉择优取向BST薄膜.该技术在集成电容、介电可调器件、超导材料缓冲层方面有潜在的应用.

关键词：钛酸锶钡薄膜溶胶凝胶镍