W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
INTERFACIAL MICROSTRUCTURE ANALYSIS OF ALUMINUM NITRIDE CO-FIRE CERAMIC SUBSTRATE作者机构：电子科技大学信息材料工程学院成都610054 信息产业部电子四十三所合肥230022
出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)
年 卷 期：2002年第30卷第3期
页 面：311-315页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：信息产业部电子科学研究院预研课题 (3 0 .2 .2 .5 -1)
主 题：W-SiO2浆料 共烧界面 微观结构 氮化铝 多层共烧 导带浆料 烧结应力 陶瓷 钨 二氧化硅 集成电路 封装 基板材料
摘 要：氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa .
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