咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 2 篇 期刊文献
  • 1 篇 会议

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 导带浆料
  • 3 篇 多层共烧
  • 3 篇 氮化铝
  • 2 篇 集成电路
  • 1 篇 二氧化硅
  • 1 篇 共烧界面
  • 1 篇 陶瓷
  • 1 篇 钨
  • 1 篇 烧结应力
  • 1 篇 基板材料
  • 1 篇 微观结构
  • 1 篇 烧结性能
  • 1 篇 封装
  • 1 篇 w-sio2浆料

机构

  • 3 篇 信息产业部电子四...
  • 3 篇 电子科技大学

作者

  • 3 篇 胡永达
  • 3 篇 崔嵩
  • 3 篇 杨邦朝
  • 3 篇 蒋明
  • 3 篇 张经国

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=导带浆料"
共 3 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析
氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析
收藏
分享
引用
第四届中国功能材料及其应用学术会议
作者： 胡永达 蒋明 杨邦朝 崔嵩 张经国 电子科技大学信息材料工程学院 信息产业部电子四十三所
陶瓷多层共烧基板在MCM领域得到了广泛的应用,而共烧导带浆料的研制则是其中的重点。本文提出了以W 为导电材料,SiO为添加剂配制的导体浆料。在1800℃,4h,N 气氛下进行烧结。得到当SiO 含量在0.45%wt 时,导带方阻达到10mΩ/?,基板的翘... 详细信息
来源： cnki会议 评论
W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
收藏
分享
引用
硅酸盐学报 2002年 第3期30卷 311-315页
作者： 胡永达 蒋明 杨邦朝 崔嵩 张经国 电子科技大学信息材料工程学院 成都610054 信息产业部电子四十三所 合肥230022
氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
W 浆料中 SiO_2含量对 AlN 共烧基板烧结性能的影响
收藏
分享
引用
材料导报 2004年 第6期18卷 88-90页
作者： 胡永达 蒋明 杨邦朝 崔嵩 张经国 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054 信息产业部电子四十三所 合肥230022
研究了在 AlN 多层布线共烧基板中,W-SiO_2浆料体系中 SiO_2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明 SiO_2的质量分数在0.45％时,AlN 多层布线共烧基板的导带方阻达到10moΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件