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用视频摄像技术测定纳米晶聚合物复合薄膜的传输损耗

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中国激光 2001年第10期28卷 945-948页

作者：吕增海杨旭东任诠王雪亭闾晓琴孟凡青马常宝张光辉 Y.T.Chow 山东大学光学系济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 香港城市大学光电子学研究中心

研制了一种新的钛酸铅聚醚醚酮 (PT PEK c)纳米晶聚合物复合薄膜 ,用视频摄像技术准确、实时地分析了这种复合薄膜的传输损耗。该方法包括一架高分辨率的数码相机和相应的数据处理软件 ,以及棱镜耦合系统 ,其测量范围为 0 5～ 10 0dB... 详细信息

研制了一种新的钛酸铅聚醚醚酮 (PT PEK c)纳米晶聚合物复合薄膜 ,用视频摄像技术准确、实时地分析了这种复合薄膜的传输损耗。该方法包括一架高分辨率的数码相机和相应的数据处理软件 ,以及棱镜耦合系统 ,其测量范围为 0 5～ 10 0dB/cm ,用这种方法测得PT PEK c纳米晶聚合物复合薄膜在 6 33nm处的传输损耗为 3 0 9dB/cm。

关键词：纳米晶聚合物复合薄膜传输损耗视频摄像技术

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物理气相沉积硬质涂层的开发及工程应用

电镀与涂饰 2013年第3期32卷 75-79页

作者：周志烽李国恩香港城市大学机械及生物医学工程学系先进涂层应用研究实验室

概述了物理气相沉积(PVD)技术的发展过程、特点及工程应用。介绍了香港城市大学先进涂层应用研究实验室(ACARL)近10年来在硬质涂层的开发与应用方面所做的主要工作,包括金刚石薄膜和纳米复合涂层在香港制造业的应用研究,超硬纳米复合涂... 详细信息

概述了物理气相沉积(PVD)技术的发展过程、特点及工程应用。介绍了香港城市大学先进涂层应用研究实验室(ACARL)近10年来在硬质涂层的开发与应用方面所做的主要工作,包括金刚石薄膜和纳米复合涂层在香港制造业的应用研究,超硬纳米复合涂层的完整性和可靠性研究,以及以脉冲磁控溅射为基础的新型大面积涂层技术的开发和工业化应用研究等。

关键词：物理气相沉积磁控溅射离子镀硬质涂层纳米复合涂层

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硅纳米线光电化学太阳能电池

激光与光电子学进展 2009年第2期46卷 41-41页

作者：王新徐敏李理吴晓玲彭奎庆李述汤北京师范大学核科学与技术学院北京100875 香港城市大学物理与材料科学系超金刚石及先进薄膜研究中心中国香港

当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急．能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”．寻求经济发展的“新动力”.光伏效应是太阳能利用的重要途径之一，光电化学太阳能电池制备技术简单... 详细信息

当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急．能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”．寻求经济发展的“新动力”.光伏效应是太阳能利用的重要途径之一，光电化学太阳能电池制备技术简单，同时无需太阳能级纯的半导体材料，所以这种在液休和半导体之间形成的异质结所产生的光伏效应得到了人们越来越多的关注.近年来，纳米结构半导体材料在光电化学太阳能电池中的应用为其性能提高带来了新契机.

关键词：光电化学太阳能电池硅纳米线社会经济发展半导体材料不可再生能源光伏效应太阳能利用能源问题

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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 252-256页

作者：张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学中国香港

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化... 详细信息

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

关键词： SiGe-on-insulator 氧化扩散

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质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应

物理学报 2000年第11期49卷 2186-2190页

作者：廖梅勇张键辉秦复光刘志凯杨少延王占国李述汤中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083 香港城市大学物理和材料科学系

用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜 ,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明 ,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒 .碳离子的浅注入是该碳膜SP3 形成的主要机理 .

关键词：非晶碳离子轰击质量分离低能离子束薄膜

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纳米铁电材料极化旋涡畴的演化研究（英文）

纳米铁电材料极化旋涡畴的演化研究（英文）

2018年全国固体力学学术会议

作者：田晓宝范海冬何小桥吕坚四川大学力学系香港城市大学建筑与土木工程系香港城市大学先进材料研究中心

A modified first-principles-based atomistic method incorporating the anisotropic shell model is developed for the simulation of the vortex type polarization in polycrystalline ferroelectric. Based on the modified model, a series of distinct vortex and anti-vortex polarization configurations are obtained at atomic scale simulation in which the anti-vortex polarization configuration in polycrystalline ferroelectric has never been reported in the open literature. In this study, a standard definition is given to the polarized anti-vortex in mathematics and polarization topology. The accurate distribution has been obtained from the simulation and validated by analogy of the vortex field using the Landau-Ginzburg-Devonshire theory. The properties of the anti-vortex are studied to establish the relationship among the polarization value of the vector, the radius and the streamlines curvature of the anti-vortex. Based on the polarization mechanism, a method is proposed for experimenters to observe clearly and position accurately the polarization anti-vortex and vortex, which could combine as novel domain structure. Domain wall(DW) plays an important role in the domain evolution. The anti-vortex could be a special domain structure of the mixed DWs, i.e. the Ising wall and the Mixed Ising-Neel wall. Results show that the nucleation and the disappearance of the anti-vortex happen at grain boundaries(GBs) under sinusoidal electric fields loading. As the anti-vortex motion by the electric field, it is a perfect view point for the domain evolutions. It has been found that the anti-vortex core can’t pass through the GBs because of the size and disorder field. This phenomenon indicated that anti-vortex is only been obtained in grains at polycrystalline ferroelectric, and the electric field range must between-6.3 and 6.3×10 V/m.

关键词： polycrystalline ferroelectric vortex polarization domain wall anti-vortex grain boundaries

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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金属等离子体浸没动态离子束增强沉积

北京师范大学学报（自然科学版） 2000年第3期36卷 329-331页

作者：张涛侯君达张孝吉张荟星朱剑豪田修波曾照明北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 香港城市大学物理材料系

采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没动态离子束增强沉积系统 ,对 30 4L不锈钢进行金属等离子体浸没动态离子束增强沉积处理 .对试样予以电化学测试和AES分析 .动态增强沉积试样比非增强沉... 详细信息

采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没动态离子束增强沉积系统 ,对 30 4L不锈钢进行金属等离子体浸没动态离子束增强沉积处理 .对试样予以电化学测试和AES分析 .动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力 .

关键词：动态增强沉积等离子体浸没表面改性薄膜

磁控溅射法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)双面超导薄膜

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稀有金属 2000年第6期24卷 470-473页

作者：王小平刘援王霈文冯稷林晨光华志强张朝兴北京有色金属研究总院北京100088 香港城市大学物理及材料科学系信息产业部第十六研究所合肥230043

采用大直径中空柱状阴极磁控溅射装置和筒形加热器制备了高质量YBa2 Cu3O7-x双面超导薄膜。使用衬底为 (0 0 1)LaAlO3和 (0 0 1)YSZ。双面超导薄膜零电阻温度TC=89～ 91K ,临界电流密度JC≥ 10 6A/cm2 (77K ,零场下 ) ,微波表面电阻RS<1... 详细信息

采用大直径中空柱状阴极磁控溅射装置和筒形加热器制备了高质量YBa2 Cu3O7-x双面超导薄膜。使用衬底为 (0 0 1)LaAlO3和 (0 0 1)YSZ。双面超导薄膜零电阻温度TC=89～ 91K ,临界电流密度JC≥ 10 6A/cm2 (77K ,零场下 ) ,微波表面电阻RS超导薄膜。同时对双面超导薄膜进行了微结构分析。用制备的 2 5mm× 2 0mm双面膜研制成功中频滤波器 ,中心频率为 1 0 6GHz时 ,插损为 0 6 7dB。

关键词：磁控溅射双面超导薄膜 YBa2Cu3O7-x

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磷掺杂类金刚石薄膜的制备与性能研究

真空科学与技术学报 2005年第2期25卷 123-126页

作者：王进 Sunny C.H.Kwok 陈俊英杨萍黄楠 P.K.Chu 西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室成都610031 香港城市大学物理与材料系

应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(P doped diamond like carbon,P-aopea DLC)薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P的掺杂增加了DLC薄膜的无序性,俄歇能谱证明岛型区域是由P、C、O三种... 详细信息

应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(P doped diamond like carbon,P-aopea DLC)薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P的掺杂增加了DLC薄膜的无序性,俄歇能谱证明岛型区域是由P、C、O三种元素形成的化合物,衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)的分析结果显示存在P-O-P和P-P-C的非对称伸缩振动。掺杂表面表现出强烈的亲水性(水接触角为16.9°),体外血小板粘附实验结果显示,P掺杂DLC薄膜表面粘附的血小板少且变形小,表现出的血液相容性优于热解碳和未改性DLCo。P-doped DLC薄膜与水的界面张力为2.7 nJ/cm2,具有较理想的接近于血细胞的界面张力,因此与血液保持了较高的相容性。

关键词：类金刚石薄膜磷掺杂性能研究等离子体浸没离子注入 DLC薄膜 diamond 制备 carbon 界面张力衰减全反射血小板粘附血液相容性沉积方法 like 俄歇能谱元素形成伸缩振动分析结果红外光谱水接触角薄膜表面微米级