检索结果-南通市图书馆

应用于陶瓷封装外壳镍层表面的自动化金丝焊接方法

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微纳电子技术 2024年第8期61卷 93-99页

作者：吴兵硕刘旭张玉中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

目前,陶瓷封装外壳电镀辅助线的金丝焊接工艺主要依靠人工进行,效率和成品率低、需要频繁返工,极大地影响了生产效率;且焊点强度和焊接位置没有统一的焊接工艺规范,焊点形貌状态各异,产品一致性低。通过超声波焊接、热压电阻焊、超声波... 详细信息

目前,陶瓷封装外壳电镀辅助线的金丝焊接工艺主要依靠人工进行,效率和成品率低、需要频繁返工,极大地影响了生产效率;且焊点强度和焊接位置没有统一的焊接工艺规范,焊点形貌状态各异,产品一致性低。通过超声波焊接、热压电阻焊、超声波热压焊的工艺实验,确定电阻焊可将金丝有效焊接到镍层表面,拉力、金丝弧度、焊点形貌均满足工艺要求。实验确定了金丝直径25μm、预热温度50~220℃、焊点温度500℃以上、电压1~5V以及放电时间10~30ms等参数,同时,将焊丝生产过程,包括上料、预热、定位、焊接、下料全部实现自动化,焊接速率可达到200根/min,是人工生产的10倍以上。

关键词：陶瓷封装外壳电阻焊金丝焊接自动化生产镀层

基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术

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微纳电子技术 2024年第5期61卷 162-167页

作者：胥超王敏杨志中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率... 详细信息

针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1~8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。

关键词：微电子机械系统(MEMS) 微谐振器品质因数真空度圆片级真空封装

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双面腔体结构的HTCC层压模具设计实现

微纳电子技术 2024年第8期61卷 39-44页

作者：程换丽淦作腾马栋栋王杰刘曼曼中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

高温共烧陶瓷(HTCC)双面腔体在加工时极易发生变形,严重时可导致产品无法正常加工。在HTCC制备过程中,层压工艺是影响HTCC双面腔体形变的最重要的工艺。针对HTCC双面腔体加工时发生的形变问题,设计了一种全新的层压模具,并对其销钉结构... 详细信息

高温共烧陶瓷(HTCC)双面腔体在加工时极易发生变形,严重时可导致产品无法正常加工。在HTCC制备过程中,层压工艺是影响HTCC双面腔体形变的最重要的工艺。针对HTCC双面腔体加工时发生的形变问题,设计了一种全新的层压模具,并对其销钉结构进行优化。与传统的层压模具相比,新的层压模具具有双面腔体配合带底座销钉的特点,其能够大幅提高双面腔体结构HTCC层压一致性,解决传统层压模具存在的腔体变形问题。同时,通过调节销钉底座尺寸,改善了双面腔体结构HTCC的层压压痕问题。当底座直径为9~12mm时,可有效保证双面腔体的层压效果。上述结果为后续双面腔体结构HTCC加工提供了参考。

关键词：高温共烧陶瓷(HTCC) 层压模具双面腔体销钉变形

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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究

微纳电子技术 2024年第7期61卷 86-92页

作者：李帅房玉龙芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体... 详细信息

随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。

关键词： 4H-SiC 小坑缺陷高质量外延碳硅比生长温度

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LC型VCO高温特性分析

电子工艺技术 2024年第1期45卷 10-13页

作者：刘长江刘银生高晓强中国电子科技集团公司第二十九研究所成都610036 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

微波单片集成电路(MMIC)具有噪声性能好、集成度高、驱动能力强的优点。在MMIC工艺下,对压控振荡器(VCO)在高温下的特性表现进行了分析。现有使用负阻振荡原理设计的VCO电路分为负阻电路部分和谐振电路部分,该结构在高温下常产生近端噪... 详细信息

微波单片集成电路(MMIC)具有噪声性能好、集成度高、驱动能力强的优点。在MMIC工艺下,对压控振荡器(VCO)在高温下的特性表现进行了分析。现有使用负阻振荡原理设计的VCO电路分为负阻电路部分和谐振电路部分,该结构在高温下常产生近端噪声恶化和频率下降的现象,影响VCO的正常工作性能。通过对现有MMICVCO产品的仿真测试和分析,探得了高温下VCO性能改变的原因。

关键词： MMIC 压控振荡器高温特性改变

p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析

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微纳电子技术 2024年第6期61卷 62-67页

作者：宋红伟宋洁晶秦龙中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得... 详细信息

从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得薄层半导体与金属之间高精度的欧姆接触电阻和电阻率测试结果。研究了Zn掺杂浓度和合金温度对p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性的影响。研究发现:在相同合金温度下,掺杂浓度为1.94×10^(19)cm^(-3)时,样品的欧姆接触电阻率小于掺杂浓度为1.52×10^(19)cm^(-3)的样品,即提高p型InGaAs薄层半导体Zn掺杂浓度有利于半导体和金属Ti/Pt/Au形成良好的欧姆接触;相同Zn掺杂浓度的p型InGaAs薄层半导体,在经过光刻、等离子体去胶、湿法腐蚀等前道工艺后,合金温度为410℃的样品欧姆接触电阻率小于合金温度为380℃的样品,即可通过提高合金温度改善半导体与金属之间的欧姆接触特性。

关键词：欧姆接触特性薄层半导体掺杂浓度合金温度

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高温共烧陶瓷封装外壳生瓷加工精度的控制

微纳电子技术 2024年第8期61卷 73-79页

作者：王灿淦作腾张世伟韩永年李庆民张家豪中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

高温共烧陶瓷(HTCC)封装外壳内部布线的位置精度直接影响着内部线路的稳定性。简述了陶瓷封装外壳加工工艺流程和在生瓷加工阶段影响位置精度的主要因素,包括生瓷料片加工形变特性及冲孔工艺、印刷工艺及叠片工艺的加工精度等。重点分... 详细信息

高温共烧陶瓷(HTCC)封装外壳内部布线的位置精度直接影响着内部线路的稳定性。简述了陶瓷封装外壳加工工艺流程和在生瓷加工阶段影响位置精度的主要因素,包括生瓷料片加工形变特性及冲孔工艺、印刷工艺及叠片工艺的加工精度等。重点分析了生瓷片预处理、冲孔设备选择及工作台移动参数、印刷高度及叠片工艺对陶瓷封装外壳内部布线位置精度的影响。通过实验研究得到改善陶瓷封装外壳内部布线位置精度的关键数据。生瓷带料预处理工艺采用等静压机预压方式,以100psi(1psi≈6895Pa)的压力对生瓷料片进行2~3min预压,提高带料密度,减小生瓷加工过程中的变形;冲孔工艺选用激光冲孔方式,通过调整激光冲孔设备加工参数(工作台移动速度200mm/s),提高冲孔设备工作台移动位置精度,进而提升冲孔位置精度;印刷工艺采用丝网印刷方式和电荷耦合器件(CCD)自动对位方式,并通过规范印刷高度(2mm左右),提升印刷位置精度;叠片工艺中通过先叠片再去膜的方式提升叠片精度。最终实现层间布线位置精度≤20μm的陶瓷封装外壳的生产。

关键词：高温共烧陶瓷(HTCC) 位置精度预处理生瓷工艺丝网印刷

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氮化硅陶瓷的流延制备及性能

微纳电子技术 2024年第8期61卷 10-15页

作者：刘思雨刘林杰张义政赵昱中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

氮化硅陶瓷兼具优良的力学性能和导热性能,在大功率半导体器件封装领域有着广泛的应用前景。采用MgO-Y2O3作为烧结助剂、亚微米级氮化硅粉体作为原料,利用流延成型工艺制备氮化硅带料。具体研究了分散剂质量分数、浆料固含量、粘结剂质... 详细信息

氮化硅陶瓷兼具优良的力学性能和导热性能,在大功率半导体器件封装领域有着广泛的应用前景。采用MgO-Y2O3作为烧结助剂、亚微米级氮化硅粉体作为原料,利用流延成型工艺制备氮化硅带料。具体研究了分散剂质量分数、浆料固含量、粘结剂质量分数以及塑化剂和粘结剂的质量比对氮化硅带料制备的影响规律。此外研究了气压烧结后氮化硅陶瓷的微观结构及性能。通过优化浆料中各组分的添加量,成功制备了外观无缺陷、生坯密度高达2.09 g/cm^(3)的氮化硅带料。经气压烧结后的氮化硅陶瓷具备良好的性能,其体积密度为3.24 g/cm^(3),抗弯强度为756.41 MPa,热导率可达84.46 W/(m·K)。

关键词：氮化硅流延成型生坯密度抗弯强度热导率

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高温共烧陶瓷精细线条批量印刷工艺

微纳电子技术 2024年第8期61卷 67-72页

作者：王杰淦作腾马栋栋刘洋程换丽刘曼曼闫昭朴段强中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

当前,丝网印刷厚膜工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺,高密度陶瓷封装外壳的典型埋层布线线宽/线间距要求已达到45μm/45μm,为满足精细线条批量印刷要求,主要从原材料、网版和印刷工艺参数等方面分析了影响精细丝网印... 详细信息

当前,丝网印刷厚膜工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺,高密度陶瓷封装外壳的典型埋层布线线宽/线间距要求已达到45μm/45μm,为满足精细线条批量印刷要求,主要从原材料、网版和印刷工艺参数等方面分析了影响精细丝网印刷质量的因素。通过选用窄线径丝网规范(工艺参数,将印刷速度调整到250~300mm/s,减少了孔隙、断路、扩散等线条缺陷,印刷出状态优异的45μm线宽精细线条,从而实现45μm/45μm线宽/线间距的批量印刷,满足了高密度陶瓷封装外壳工艺要求。

关键词：厚膜丝网印刷精细印刷高密度陶瓷封装外壳高温共烧陶瓷(HTCC) 网版