检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

保偏光纤制备及其参数测试原理

激光技术 2023年

作者：张雪莲杨鹏刘永建宁鼎中国电子科技集团公司第四十六研究所

为了研制工作波长为1310nm的保偏光纤，采用了改进的化学气相沉积MCVD工艺制备保偏光纤预制捧和应力棒，经加工、拼接、清洗、拉丝工艺后，得到几何尺寸精确的高质量保偏光纤。同时搭建了高效测试系统，采用了折射近场法、远场扫描法、... 详细信息

为了研制工作波长为1310nm的保偏光纤，采用了改进的化学气相沉积MCVD工艺制备保偏光纤预制捧和应力棒，经加工、拼接、清洗、拉丝工艺后，得到几何尺寸精确的高质量保偏光纤。同时搭建了高效测试系统，采用了折射近场法、远场扫描法、视频灰度技术（传输近场），分别测量了预制棒的折射率分布和几何尺寸，保偏光纤模场直径、数值孔径、几何尺寸等关键参数。经理论分析和实测验证，此标准化测试系统操作流程简单，结果精确，测试得到模场直径MFD为6.26μm，数值孔径NA为0.23，包涂直径80/135/165μm（精度±0.7μm）。终检测试合格的光纤成品随机抽样16.25%进行高低温老化，实验后拍长、串音变化小。结果证明，研制的保偏光纤性能稳定，几何尺寸精确，结构均匀，损耗低，具有优良保偏性能，已广泛应用于实际生产中。

关键词：光纤光学保偏光纤化学气相沉积折射近场远场扫描法视频灰度技术

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

低过剩噪声级联倍增雪崩探测器设计（英文）

红外与毫米波学报 2019年第4期38卷 439-444页

作者：唐艳李彬陈伟黄晓峰柴松刚赵开梅张承高新江中国电子科技集团公司第四十四研究所

基于弛豫空间倍增理论数值模型和修正的弛豫空间倍增理论模型,分析了不同倍增级数和不同载流子初始能量时级联倍增雪崩探测器的过剩噪声.研究了不同碰撞离化倍增层厚度、不同电子预加热层厚度、不同电场控制层掺杂浓度对过剩噪声因子的... 详细信息

基于弛豫空间倍增理论数值模型和修正的弛豫空间倍增理论模型,分析了不同倍增级数和不同载流子初始能量时级联倍增雪崩探测器的过剩噪声.研究了不同碰撞离化倍增层厚度、不同电子预加热层厚度、不同电场控制层掺杂浓度对过剩噪声因子的影响.同时,比较了DSMT模型、Van Vilet模型和McIntyre模型得到的结果.通过调整碰撞离化倍增层厚度、电子预加热层厚度和电场控制层掺杂浓度,DSMT数值模拟获得了一个相对优化的结构,其过剩噪声与Van Vliet模型 k s=0.057时相当.

关键词：过剩噪声级联倍增弛豫空间倍增理论(DSMT理论) 弛豫空间

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN/金刚石复合结构的制备与器件性能

半导体技术 2024年第7期 618-623页

作者：刘莎莎兰飞飞房诗舒程红娟王英民中国电子科技集团公司第四十六研究所

金刚石是一种极具竞争力的新型热沉衬底材料，可以显著提升GaN器件的输出功率密度。基于GaN上直接生长金刚石技术，开展了高导热GaN/金刚石复合衬底的研制工作。采用聚合物辅助播种与两步法生长金刚石相结合的方法，实现了通过直接生长... 详细信息

金刚石是一种极具竞争力的新型热沉衬底材料，可以显著提升GaN器件的输出功率密度。基于GaN上直接生长金刚石技术，开展了高导热GaN/金刚石复合衬底的研制工作。采用聚合物辅助播种与两步法生长金刚石相结合的方法，实现了通过直接生长技术制备GaN/金刚石复合结构。通过引入大流量氢气生长模式，并对界面热阻进行优化，成功制备了高质量的GaN/金刚石复合结构。基于GaN/金刚石复合结构进行了器件验证，结果表明，与SiC基GaN器件相比，金刚石基GaN器件的输出功率密度由2.90 W/mm提升至3.96 W/mm。

关键词：金刚石 GaN 散热能力功率密度界面热阻

基片等离子处理对PTFE微波基板性能的影响

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

塑料工业 2024年第2期52卷 54-59,78页

作者：金霞韩笑薛微婷冯春明冯贝贝中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用等离子处理对聚四氟乙烯(PTFE)基片进行表面处理,研究气体流量、放电功率、处理时间的变化对PTFE基片微观形貌和接触角的影响,进而研究对PTFE微波基板介质损耗、吸水率、剥离强度等综合性能的影响。实验结果表明,等离子体处理可以... 详细信息

采用等离子处理对聚四氟乙烯(PTFE)基片进行表面处理,研究气体流量、放电功率、处理时间的变化对PTFE基片微观形貌和接触角的影响,进而研究对PTFE微波基板介质损耗、吸水率、剥离强度等综合性能的影响。实验结果表明,等离子体处理可以有效增加基片表面粗糙度,降低PTFE基片的接触角,提高其表面能,使覆铜箔层压板的铜箔与介质层之间结合强度提升,制备的PTFE微波基板的剥离强度可接近未处理之前剥离强度的3倍。

关键词：等离子聚四氟乙烯微波基板接触角介质损耗吸水率剥离强度

石英纤维含量对聚四氟乙烯基高介微波复合介质基板性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高分子材料科学与工程 2019年第11期35卷 82-87页

作者：张立欣王丽婧张伟武聪庞子博中国电子科技集团公司第四十六研究所

采用聚四氟乙烯(PTFE)树脂为基体,高介电陶瓷粉为填料,石英纤维作为增强材料,通过压延成型、热压烧结制备出高性能基板。扫描电镜(SEM)、热膨胀系数、力学性能测试结果表明经过压延工艺后,纤维主要沿X-Y平面分布,且随着纤维含量的提高,... 详细信息

采用聚四氟乙烯(PTFE)树脂为基体,高介电陶瓷粉为填料,石英纤维作为增强材料,通过压延成型、热压烧结制备出高性能基板。扫描电镜(SEM)、热膨胀系数、力学性能测试结果表明经过压延工艺后,纤维主要沿X-Y平面分布,且随着纤维含量的提高,复合材料X/Y轴热膨胀系数和拉伸强度得到改善。而SEM、致密度和吸水率性能测试表明随着纤维含量的提高,PTFE-纤维-陶瓷粉构成的三相界面中出现空隙,导致复合材料密度降低、吸水率升高、损耗升高。当纤维含量为3%时,复合材料综合性能最佳,介电常数和介质损耗分别达到10.29和0.0026,吸水率达到0.052%,X/Y/Z轴平面热膨胀系数(CTE)为0.0261‰/0.0278‰/0.0394‰/℃,拉伸强度达到11.80 MPa。

关键词：聚四氟乙烯微波复合介质基板石英纤维热膨胀系数

重掺硅片表面APCVD法生长SiO薄膜的致密性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2024年

作者：史延爽王浩铭田原张旭武永超中国电子科技集团公司第四十六研究所

在硅片加工过程中，金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流，甚至直接导致pn结禁带宽度变窄，为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象，通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 ... 详细信息

在硅片加工过程中，金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流，甚至直接导致pn结禁带宽度变窄，为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象，通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO2薄膜，首先研究不同沉积温度、SiH4和O2的体积流量比对沉积速率和SiO2薄膜致密性的影响，进一步探究了不同退火温度对SiO2薄膜致密性的影响，以期获得致密性较高的SiO2薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性，采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO2薄膜的表面形貌，采用F50膜厚测试仪测试SiO2薄膜的厚度。结果表明，沉积温度为400 ℃，SiH4和O2的体积流量比为1:10，退火温度为1 100 ℃时，制备出的SiO2薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。

关键词：常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO 薄膜致密性自掺杂沉积速率

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

一种宽带直接调制型激光器的设计方法

现代雷达 2023年

作者：杨鹏毅李韬姚宗影中国电子科技集团公司第四十三研究所中国电子科技集团公司第四十三研究所微系统安徽省重点实验室

针对直接调制型激光器输出光功率低、带宽小等技术问题，提出了一种宽带直接调制型激光器的设计方法，给出了直接调制型激光器设计原理、内部结构，通过Zemax光学仿真软件，对比分析了准直透镜和聚焦透镜对光路耦合效率的影响，并对光... 详细信息

针对直接调制型激光器输出光功率低、带宽小等技术问题，提出了一种宽带直接调制型激光器的设计方法，给出了直接调制型激光器设计原理、内部结构，通过Zemax光学仿真软件，对比分析了准直透镜和聚焦透镜对光路耦合效率的影响，并对光学元件的位置容差进行了比较分析。通过HFSS软件，对宽频带激光器的阻抗匹配进行了设计仿真，并对18 GHz宽带直接调制型激光器的核心指标进行了测试，测试结果表明，设计的宽带直接调制型激光器3 dB带宽、输出光功率、插损、噪声系数分别为18 GHz、10.5 dBm、-25 dB、 45 dB，达到国际同类产品水平。

关键词：直接调制激光器宽频带光学仿真

β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2022年第12期51卷 2040-2047,2062页

作者：李晖高鹏程程红娟王英民高飞张弛王磊中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001... 详细信息

本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。

关键词： β-Ga_(2)O_(3)晶片金刚石线锯切割方向亚表面损伤层表面粗糙度

FEP含量对PTFE/SiO_(2)复合薄膜性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

工程塑料应用 2023年第10期51卷 44-48,54页

作者：韩桂云冯春明李强韩伏龙金霞中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

将不同添加量的聚全氟异丙烯(FEP)加入到聚四氟乙烯(PTFE)中,用涂覆结合高温烧结工艺制备PTFE/二氧化硅(SiO_(2))复合薄膜,研究不同添加量的FEP对PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观形貌、密度、介电性能和力学性能的影响。结果表明,随FEP添加... 详细信息

将不同添加量的聚全氟异丙烯(FEP)加入到聚四氟乙烯(PTFE)中,用涂覆结合高温烧结工艺制备PTFE/二氧化硅(SiO_(2))复合薄膜,研究不同添加量的FEP对PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观形貌、密度、介电性能和力学性能的影响。结果表明,随FEP添加量的提高,PTFE/SiO_(2)复合薄膜的密度、介电常数和拉伸强度呈现先升高后下降的趋势,介电损耗因子呈现先下降后升高的趋势,断裂伸长率呈现逐渐下降的趋势。当PTFE:FEP的质量比为90∶10时,PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观缺陷最少,具有最高的密度、介电常数和拉伸强度,以及最低的介电损耗因子,其密度为2.084 g/cm3,厚度为53.4μm,介电常数为2.391 6,介电损耗因子为0.001 64,拉伸强度为9.85 MPa,断裂伸长率为18.42%。

关键词：聚全氟异丙烯聚四氟乙烯二氧化硅密度介电性能拉伸强度断裂伸长率