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impurity deionization Effects on Surface Recombination DC Current-Voltage Characteristics in MOS Transistors

Journal of Semiconductors 2010年第12期31卷 1-10页

作者：陈祖辉揭斌斌薩支唐 Lee-Kuan-Yew Postdoctoral Fellow 2007-2010Nanyang Technological University Department of Physics Xiamen University CTSAH Associates Gainesville

impurity deionization on the direct-current current-voltage characteristics from electron-hole recombi- nation （R-DCIV） at SiO2/Si interface traps in MOS transistors is analyzed using the steady-state Shockley-Read-Hall recombination kinetics and the Fermi distributions for electrons and holes. Insignificant distortion is observed over 90% of the bell-shaped R-DCIV curves centered at their peaks when impurity deionization is excluded in the theory. This is due to negligible impurity deionization because of the much lower electron and hole concentrations at the interface than the impurity concentration in the 90% range.

关键词： recombination current impurity deionization interface traps MOS transistors

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MOS Capacitance-Voltage Characteristics from Electron-Trapping at Dopant Donor impurity

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Journal of Semiconductors 2011年第4期32卷 1-9页

作者：揭斌斌薩支唐 Department of Physics Xiamen University CTSAH Associates GainesvilleFlorida 32605USA

The capacitance versus DC-voltage formula from electron trapping at dopant impurity centers is de- rived for MOS capacitors by the charge-storage method. Fermi-Dirac distribution and impurity deionization are included in the DC-voltage scale. The low-frequency and high-frequency capacitances, and their differences and derivatives, are computed in the presence of an unlimited source of minority and maj ority carriers. The results show that their difference and their DC-voltage derivatives, are large and readily measurable, hence suitable as a method for characterizing the electronic trapping parameters at dopant impurity centers and for a number of lower power signal processing and device technology monitoring applications.

关键词： MOS capacitance trapping capacitance impurity deionization spintronics

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