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zno:ga晶体对质子的响应

原子能科学技术 2009年第9期43卷 848-850页

作者：马彦良欧阳晓平张忠兵王兰刘林月潘洪波陈亮张景文西北核技术研究所陕西西安710024 西安交通大学陕西西安710049

对zno:ga晶体进行质子辐照实验研究,得到对脉冲质子的响应波形和发光强度随质子能量的变化关系,并对实验现象和结果进行了分析。结果表明,该晶体对质子束具有很好的响应特性,与快速光电探测器相结合,可作为反冲质子探测元件,用于脉冲中... 详细信息

对zno:ga晶体进行质子辐照实验研究,得到对脉冲质子的响应波形和发光强度随质子能量的变化关系,并对实验现象和结果进行了分析。结果表明,该晶体对质子束具有很好的响应特性,与快速光电探测器相结合,可作为反冲质子探测元件,用于脉冲中子探测。

关键词： zno:ga 无机晶体质子辐照响应波形

氧分压对直流磁控溅射制备zno：ga透明导电薄膜特性的影响

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无机材料学报 2007年第6期22卷 1113-1116页

作者：马全宝叶志镇何海平朱丽萍张银珠赵炳辉浙江大学材料系硅材料国家重点实验室杭州310027

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓zno(zno:ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对zno:ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.zno:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 详细信息

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓zno(zno:ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对zno:ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.zno:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的zno:ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有zno:ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

关键词： zno:ga 透明导电氧化物薄膜磁控溅射氧分压光电特性

真空退火对溅射淀积zno:ga透明导电膜性能的影响

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稀有金属材料与工程 2005年第7期34卷 1166-1168页

作者：马瑾余旭浒计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东师范大学物理系山东济南250014

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(zno:ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在... 详细信息

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(zno:ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。

关键词：磁控溅射 zno:ga 真空退火

薄膜厚度对zno∶ga透明导电膜性能的影响

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功能材料 2005年第2期36卷 241-243页

作者：余旭浒马瑾计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东师范大学物理系山东济南250014

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(zno∶ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的zno∶ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍... 详细信息

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(zno∶ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的zno∶ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。

关键词：磁控溅射 zno:ga 薄膜厚度光电性质

zno:ga透明导电膜的低温制备及特性研究

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ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

zno:ga透明导电膜的低温制备及特性研究

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊山东大学物理与微电子学院山东师范大学物理系

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(zno:ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的zno:ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最... 详细信息

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(zno:ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的zno:ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上。

关键词：磁控溅射 zno:ga 光电特性

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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功能材料 2004年第Z1期35卷 1131-1133页

作者：余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东师范大学物理系山东济南250014 山东大学物理与微电子学院山东济南250100

关键词：磁控溅射 zno:ga 光电特性

激光溅射沉积制备的zno∶ga薄膜表面形貌分析

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光学学报 2011年第1期31卷 272-276页

作者：刘云燕程传福宋洪胜臧永丽杨善迎山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250015 山东理工大学理学院山东淄博255049 莱芜职业技术学院信息工程系山东莱芜271100

薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识。研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的zno∶ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的,具备自仿射分形特征,可以用高度-高度相关函数进行描述。通过对用... 详细信息

薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识。研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的zno∶ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的,具备自仿射分形特征,可以用高度-高度相关函数进行描述。通过对用原子力显微镜(AFM)获得的表面高度数据进行相关运算,定量地分析了PLD制备的GZO薄膜的生长界面特征,求出了描述粗糙表面的高度-高度相关函数的三个重要参量W,ξ和α,发现制备的GZO薄膜生长符合Kuromoto-Sivashinsky生长模型。

关键词：薄膜 zno:ga 原子力显微镜高度-高度相关函数表面形貌

溅射压强对直流磁控溅射制备zno:ga透明导电薄膜特性的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 285-288页

作者：马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊胡少华赵炳辉浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓zno(zno:ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对zno:ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的zno:ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,zno:ga... 详细信息

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓zno(zno:ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对zno:ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的zno:ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,zno:ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的zno:ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.

关键词： zno:ga 透明导电氧化物薄膜磁控溅射光电特性

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水热法生长zno：ga晶体过程及性能研究

超硬材料工程 2016年第3期28卷 57-62页

作者：张一骐王金亮任孟德雷威左艳彬中国有色桂林矿产地质研究院有限公司国家特种矿物材料工程技术研究中心广西超硬材料重点实验室广西桂林541004 桂林理工大学地球科学学院广西桂林541006

采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了zno:ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下(4MKOH+0.25M LiOH+1.25mlH_2O_2,360-340℃)获得了生长速... 详细信息

采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了zno:ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下(4MKOH+0.25M LiOH+1.25mlH_2O_2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的zno:ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36mm×27.46mm×5.52mm。ga:zno晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化。测试zno:ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec。较之纯zno晶体,ga:zno晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景。

关键词： zno:ga 水热法晶体过程性能