薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响

作     者：余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 YU Xu-hu;MA Jin;JI Feng;WANG Yu-heng;ZHANG Xi-jian;CHENG Chuan-fu;MA Hong-lei

作者机构：山东大学物理与微电子学院山东济南250100 山东师范大学物理系山东济南250014 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2005年第36卷第2期

页      面：241-243页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165) 博士点基金资助项目(20020422056) 

主　　题：磁控溅射 ZnO:Ga 薄膜厚度 光电性质 

摘      要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。