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次甲基硅sih与H_2X(X=O,S)反应的热力学及动力学性质研究(英文)

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无机化学学报 2003年第12期19卷 1290-1294页

作者：司维江禚淑萍居冠之山东理工大学化学工程学院淄博255049 南京大学化学系配位化学国家重点实验室南京210093

在量子化学对sih与H2O和H2S反应计算的基础上,运用统计热力学和Wigner校正的Eyring过渡态理论,计算了上述两反应在200～2000K温度范围内的热力学函数、平衡常数、频率因子A和速率常数随温度的变化。计算结果表明,两反应在低温下具有热... 详细信息

在量子化学对sih与H2O和H2S反应计算的基础上,运用统计热力学和Wigner校正的Eyring过渡态理论,计算了上述两反应在200～2000K温度范围内的热力学函数、平衡常数、频率因子A和速率常数随温度的变化。计算结果表明,两反应在低温下具有热力学优势,而在高温下具有动力学优势。比较两反应的计算结果发现,在相同的温度下,sih与H2O反应比sih与H2S反应放热较多,但速率常数却较小。sih与H2O反应和前文报道的sih与HF反应的比较表明,sih与H2O反应放热较少,而且在相同温度下,速率常数也较小。

关键词：次甲基硅 sih H2O H2S 反应热力学反应动力学量子化学水硫化氢

TEA CO_2激光诱发sih_4等离子体发光动力学研究

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Journal of Semiconductors 1990年第3期11卷 193-201页

作者：傅广生董丽芳李晓苇韩理张连水吕福润河北大学物理系

本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发sih_4等离子体过程。探测到了Si,Si^+,Si^(2+),sih^+,sih,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了sih_4的分解及其碎片之间的反应过... 详细信息

本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发sih_4等离子体过程。探测到了Si,Si^+,Si^(2+),sih^+,sih,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了sih_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出sih_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对sih_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。

关键词：激光诱发 sih 等离子体发光动力学

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sih分子基态(X^2∏)的解析势能函数

信阳师范学院学报（自然科学版） 2008年第2期21卷 180-182,189页

作者：戴启润程建辉胡军远信阳师范学院物理电子工程学院河南信阳464000

利用群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导了sih分子基态的电子态和合理的离解极限,利用Gaussian 03程序包,采用QCISD(T),QCISD,B3LYP方法和6-311G(df,pd),6-311G(df,2pd),6-311G(2df,pd),6-311G(2df,2pd)等基组对sih的基态平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过比较发现QCISD(T)方法为最优方法、6-311G(df,2pd)为最佳基组的结论.使用该方法和基组对sih分子的基态进行了单点能扫描计算,用正规方程组拟合了Murrel-Sorbie势能函数,得到了该态的完整的势能函数,并从得到的势能函数计算了基态的光谱常数,结果与实验数据较为一致.

关键词：原子与分子物理分子结构与势能函数 sih 基态 Murrell-Sorbie函数

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sih4分子的单脉冲激光光声光谱

量子电子学报 1990年第1期 14-15页

作者：张贵银张连水韩理傅广生张开锡河北大学物理系

用激光或放电技术在硅烷气体中产生等离子体,制取满足各种不同要求的硅薄膜,是近几年受到广泛重视的研究课题。无疑,研究等离子体过程对弄清硅膜生长机理、表面反应过程及控制实验条件,以进一步提高膜的质量有重要意义。用光学发射光谱... 详细信息

用激光或放电技术在硅烷气体中产生等离子体,制取满足各种不同要求的硅薄膜,是近几年受到广泛重视的研究课题。无疑,研究等离子体过程对弄清硅膜生长机理、表面反应过程及控制实验条件,以进一步提高膜的质量有重要意义。用光学发射光谱(OES)、光声激光偏转、激光诱导荧光等技术,我们已经研究了sih激光等离子体中产生Si、sih、sih及H等自由基的微观和宏观动力学过程,但在质谱中观测到的重要的自由基种类sih用上述方

关键词： sih 光声光谱激光能量 sih4 反应室光声信号分子

MoSSe/InSe和sih/GeAs范德华异质结的第一性原理研究

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MoSSe/InSe和SiH/GeAs范德华异质结的第一性原理研究

作者：梁俊钟西安电子科技大学

学位级别：硕士

寻找清洁能源一直是当今世界的热门主题,如何将低密度的太阳能转化为高密度的化学能(氢能)以实现“碳中和”,还需继续推进光催化产氢新材料的研究。二维材料是一种性能独特且具有良好前景的材料,然而,其中的单层sih载流子迁移率偏低,并... 详细信息

寻找清洁能源一直是当今世界的热门主题,如何将低密度的太阳能转化为高密度的化学能(氢能)以实现“碳中和”,还需继续推进光催化产氢新材料的研究。二维材料是一种性能独特且具有良好前景的材料,然而,其中的单层sih载流子迁移率偏低,并且单层InSe和sih存在可见光区吸收系数较低、光谱范围窄等缺点,都使它们在光催化或光电器件等应用受到了极大的限制。研究表明,构建范德华异质结可以有效地调控单种材料的能带结构并耦合出新的特性,从而拓宽它们的应用领域。基于第一性原理计算方法,本文设计了 Janus MoSSe/InSe和sih/GeAs两种新型范德华异质结,并重点研究了 sih/GeAs异质结的载流子输运能力和光催化特性,论文取得的研究成果如下:(1)基于第一性原理DFT-D3色散修正的缀加平面波方法,本文研究了MoSSe/InSe异质结的电学性质及光催化特性。研究结果表明,SMoSe/InSe和SeMoS/InSe异质结的禁带宽度均低于其单种的单层材料,分别为1.38 eV和1.14 eV,表明两种异质结的光生载流子跃迁所需能量较少,其中SMoSe/InSe是直接带隙类型。此外,形成的Type-Ⅱ型异质结可促进光生载流子形成,并且SMoSe/InSe的带边位置(-5.71和-4.33 eV)达到光催化裂解水氧化和还原势的必要条件(-5.67和-4.44 eV),异质结还在全部的光谱范围上,显著地提升了光吸收系数。上述结果表明,MoSSe/InSe是一种特性良好的光催化材料。(2)基于第一性原理的HSE06杂化泛函计算方法,首次对sih/GeAs异质结的基本结构和性质进行了研究。研究结果表明,六种不同堆垛方式的sih/GeAs异质结构型中最稳定的是H2型,能带排列类型为Type-Ⅱ型,间接带隙值为1.54 eV;电荷密度差分等值面为0.070 e/?3,其数值高于多数的二维材料异质结,表明电荷转移强度较强;通过形变势理论计算发现,sih/GeAs异质结有强烈的各向异性且在y方向的迁移率较高。此外,sih/GeAs可在pH值3.3至8.6时发生光催化反应;异质结拓宽了两种单层材料的光吸收范围至远红外区,并且明显地提高了可见光区的光吸收系数,在900nm附近仍有可观的吸收量,峰值可达6×104 cm-1。(3)基于第一性原理的GGA-PBE纯泛函计算方法,研究了施加应变和电场对sih/GeAs异质结的影响。研究结果表明,在应变和电场条件下,该异质结都能发生Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型能带排列类型间的相互转变,还在特定的调控值发生带隙类型变化,比如施加平面双轴应变2%时出现了从Ⅱ到Ⅰ型的能带排列转变,并由间接突变为直接带隙。此外,sih/GeAs异质结带隙值随着电场和应变渐进地增强也呈现了线性地变化,当达到更强的应变(ε=-10%和+8%)或电场(Eext=-0.35和+0.15 V/?)时,都会发生半导体到金属的相变。更重要的是,适度地拉伸应变还可以增强可见光的吸收,此时,sih/GeAs异质结基本保持着Ⅱ型能带排列,这将更有利于光催化过程。

关键词： Janus MoSSe InSe sih GeAs 二维材料范德华异质结第一性原理