TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究
Study on Emission Kinetics of SiH_4 Plasma Induced by TEA CO_2 Laser作者机构：河北大学物理系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1990年第11卷第3期
页 面：193-201页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070204[理学-等离子体物理] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si^+,Si^(2+),SiH^+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了SiH_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出SiH_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对SiH_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。
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