SiCl4-SiH4-H2混合源的硅外延生长
Silicon Epitaxy of the SiCl;-SiH;-H;System作者机构：吉林大学电子科学系 吉林大学电子科学系 吉林大学电子科学系 吉林大学电子科学系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报)
年 卷 期：1986年第6期
页 面：602-607页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：硅外延 衬底 外延层 均匀性 自掺杂 低压 淀积 基片 电压 掺杂效应 杂质分布 SiCl4-SiH4-H2 化学反应 外延生长 晶体生长 生长速率 热分解 分解反应 SIH 反应室
摘 要：本文探讨了SiCl4/SiH4/H2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl4和SiH4两者的优点,并在一定比例下具有SiH2Cl2源的特性.它能降低外延生长温度、调节淀积速率,改善淀积的均匀性和抑制自掺杂效应.因此它可适应多种器件的要求.
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