检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

MSLT、psg诊断发作性睡病的临床价值

山东医药 2005年第17期45卷 40-41页

作者：谭春英李冲杜好瑞新乡医学院第二附属医院河南新乡453002

发作性睡病(NC)是一种慢性非进行性睡眠障碍性疾病，其病因未明，常于青少年期起病并伴随终生，临床典型的发作性睡病四联症(睡眠发作、猝倒症、睡瘫症及睡眠幻觉)并不常见，大多以反复发作的不可抗拒的白日过度嗜睡(EDS)为主诉，持续... 详细信息

发作性睡病(NC)是一种慢性非进行性睡眠障碍性疾病，其病因未明，常于青少年期起病并伴随终生，临床典型的发作性睡病四联症(睡眠发作、猝倒症、睡瘫症及睡眠幻觉)并不常见，大多以反复发作的不可抗拒的白日过度嗜睡(EDS)为主诉，持续数秒或更长，临床上与嗜睡症(IH)难以鉴别。1999年4月至2002年12月，我们采用多导睡眠图(psg)和多次睡眠潜伏期试验(MSLT)对35例NC、30例IH患者进行监测，旨在为临床鉴别诊断提供依据。

关键词：发作性睡病 MSLT 临床价值 psg 2002年12月睡眠障碍性疾病 1999年多导睡眠图青少年期反复发作鉴别诊断进行性四联症猝倒症睡瘫症嗜睡症潜伏期

失眠症中医不寐五神分型肾不藏志型与脾不藏意型血清DA含量及psg睡眠结构参数特征研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

失眠症中医不寐五神分型肾不藏志型与脾不藏意型血清DA含量及PSG...

作者：彭志鹏新疆医科大学

学位级别：硕士

目的:探讨“中医不寐五神分型诊断法”肾不藏志型与脾不藏意型血清多巴胺(D A)含量及多导睡眠图(psg)结构参数的特征变化,以期发现更多“中医不寐五神分型诊断法”实验室证据,进行临床推广及应用。方法:肾不藏志型与脾不藏意型不寐患者... 详细信息

目的:探讨“中医不寐五神分型诊断法”肾不藏志型与脾不藏意型血清多巴胺(D A)含量及多导睡眠图(psg)结构参数的特征变化,以期发现更多“中医不寐五神分型诊断法”实验室证据,进行临床推广及应用。方法:肾不藏志型与脾不藏意型不寐患者选自2018年6月至2020年1月新疆医科大学附属中医医院神志科诊断为失眠症的住院患者。从中选取符合中医不寐和西医失眠症诊断患者,再依据“中医不寐五神分型诊断法”筛选出肾不藏志型不寐患者30例、脾不藏意型不寐患者31例;正常对照组选取自新疆医科大学附属中医医院体检人群30例。结果:(1)肾不藏志型、脾不藏意型与正常对照组纳入人群的性别及年龄均具有可比性(P>0.05);(2)三组纳入人群DA含量的比较存在统计学差异(Ppsg睡眠结构参数比较,TST、SL、WT、N%、REM%均存在统计学差异(P0.05)。结论:肾不藏志型以DA血清含量升高、psg觉醒时间延长、早醒及醒后再难入睡为主要特征,脾不藏意型以DA血清含量升高、psg睡眠潜伏期延长,难以入睡为主要特征。

关键词：失眠症肾不藏志脾不藏意 DA psg

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

psg低压CVD装置

微纳电子技术 1980年第6期38卷 85-90页

作者：黑河治重崔恩录

使用扩散炉采取低压方法的 CVD 技术与以往常压方法相比,在大直径硅片的装片容量和生长膜的均匀性方面都有提高,对高密度高质量的超大规模集成电路的研制会有很大贡献。表1列出的数据是目前半导体制造工艺采用低压 CVD 装置获得的。但... 详细信息

使用扩散炉采取低压方法的 CVD 技术与以往常压方法相比,在大直径硅片的装片容量和生长膜的均匀性方面都有提高,对高密度高质量的超大规模集成电路的研制会有很大贡献。表1列出的数据是目前半导体制造工艺采用低压 CVD 装置获得的。但是关于器件工艺中的扩散源、铝布线后的钝化以及多层金属布线的绝缘膜等方面最为需要的低温磷硅玻璃(psg)膜的生长技术,膜厚及磷浓度(方块电阻)分布的控制是困难的,

关键词：石英管膜厚方块电阻低压法 CVD 生长速率硅衬底 psg 石英舟装置混合气体反应室内部构造生长温度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

psg—52型平面磨床的组合逻辑控制线路

磨床与磨削 1986年第3期 38-43页

作者：卞德谟金桂芬上海磨床研究所

卧轴矩台平面磨床是一种需要量大,用途广泛的机床,其动作一般由机械、电气和液压联合控制。传统的电气控制方式是用继电器控制,缺点是电箱体积大,而且用触点控制会造成机床动作可靠性差。如果采用集成电路硬件代替继电器,强电弱化,可使... 详细信息

卧轴矩台平面磨床是一种需要量大,用途广泛的机床,其动作一般由机械、电气和液压联合控制。传统的电气控制方式是用继电器控制,缺点是电箱体积大,而且用触点控制会造成机床动作可靠性差。如果采用集成电路硬件代替继电器,强电弱化,可使电箱的体积大大缩小,并且集成电路硬件的使用寿命较长,因此机床动作可靠性也将得到强增。

关键词：滑鞍自动换向进给 psg 平面磨床组合逻辑数理逻辑切入磨削无火花磨削

AVAPS-AE模式的无创通气对AECOPD合并OSA患者psg参数、ESS评分及舒适度的影响

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

昆明医科大学学报 2024年第4期45卷 105-112页

作者：田茂良韩博学王佳梅宗政邓治平自贡市第一人民医院呼吸与危重症医学科四川自贡643000 火箭军总医院呼吸科北京100000

目的探讨平均容积保证压力支持-自动呼气压(AVAPS-AE)模式的无创通气对慢性阻塞性肺疾病急性加重期(AECOPD)合并阻塞性睡眠呼吸暂停(OSA)患者多道睡眠监测(psg)参数、Epworth嗜睡量表(ESS)评分及舒适度的影响。方法选取2020年1月至2022... 详细信息

目的探讨平均容积保证压力支持-自动呼气压(AVAPS-AE)模式的无创通气对慢性阻塞性肺疾病急性加重期(AECOPD)合并阻塞性睡眠呼吸暂停(OSA)患者多道睡眠监测(psg)参数、Epworth嗜睡量表(ESS)评分及舒适度的影响。方法选取2020年1月至2022年10月自贡市第一人民医院75例AECOPD合并OSA患者,随机分为3组,各25例,均行无创通气治疗,对照A组予以AVAPS模式,对照B组予以S/T模式,观察组予以AVAPS-AE模式。比较3组治疗前、治疗24 h、48 h及72 h血气分析指标[动脉氧分压(PaO_(2))、动脉血酸碱度(pH)、动脉二氧化碳分压(PaCO_(2))]、psg参数[微觉醒指数(MAI)、呼吸暂停低通气指数(AHI)、最低脉搏氧饱和度(miniSpO_(2))、睡眠效率(TST/TRT)]、颏舌肌肌电值(GGEMG)各变量[清醒期及睡眠NREM期张力性、峰值、时相性GGEMG]、人机对抗发生率、48 h插管率、ESS、Brog、视觉模拟量表(VAS)及健康相关生存质量(HRQL)评分。结果治疗24 h、48 h及72 h PaO_(2)组间比较:观察组>对照A组>对照B组(P对照A组>对照B组(P0.05);ESS、Brog、VAS评分组间比较:观察组对照A组>对照B组(P<0.05)。结论AVAPS-AE模式的无创通气用于AECOPD合并OSA有利于改善患者睡眠,减少日间嗜睡,缓解呼吸困难,提高呼吸舒适度及生存质量。

关键词：无创通气 OSA AECOPD AVAPS-AE psg ESS

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

psg和Bpsg等离子沉积的工艺特征

微电子学 1985年第3期 74-77页

作者： S.Shanfield ,S.Bay ,胡雯玲

制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温度下,对磷硅玻璃(psg)或硼磷硅玻璃(Bpsg)夹层介质进行回流就可得到... 详细信息

制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉积的金属互连条的连续性。在器件可容温度下,对磷硅玻璃(psg)或硼磷硅玻璃(Bpsg)夹层介质进行回流就可得到斜削的台阶。已经用常压CVD,低压CVD,最近又用管形系统等离子增强CVD验证了psg和Bpsg沉积。在这篇报告中,我们论述了psg和Bpsg等离子增强沉积的工艺特征。采用平行平板冷壁等离子沉积系统。

关键词：硅烷磷化氢有机硅化合物氢化合物 Bpsg CVD 硼烷类乙硼烷磷硅玻璃等离子沉积沉积速率 psg 工艺特征

烷氧基硅烷混合热解淀积psg二次钝化膜的工艺探讨

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 1986年第6期 21-27页

作者：陆鸣上海交通大学LSI研究中心

psg(Phosphosilicate Glass)膜是硅器件常用的表面钝化膜.本文介绍一新的常压淀积系统,在外部引入富氧的条件下,可使烷氧基硅烷的热解温度降至400℃以下,从而特别适用于淀积二次钝化膜.给出了工艺的实验曲线和采用正交试验优化的工艺规... 详细信息

psg(Phosphosilicate Glass)膜是硅器件常用的表面钝化膜.本文介绍一新的常压淀积系统,在外部引入富氧的条件下,可使烷氧基硅烷的热解温度降至400℃以下,从而特别适用于淀积二次钝化膜.给出了工艺的实验曲线和采用正交试验优化的工艺规范以及淀积膜的一般特性.

关键词：淀积钝化膜二次钝化光学薄膜烷氧基薄层电阻 psg 淀积速率磷酸三甲酯混合热解有机硅化合物硅烷

SiO2、psg膜在HF-PO43--H2O体系中的腐蚀速率的研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 1983年第5期 25-30页

作者：夏立生岳和平胡永清

对化学汽相沉积（CVD）的SiO2、psg膜在HF-PO43--H2O体系中的腐蚀速率作了研究。该体系与HF-NH4F-H2O体系相比,psg膜的腐蚀速率及psg膜与SiO2膜的腐蚀速率比将会明显地下降。对实验结果在机理上作了定性的探讨。

关键词：腐蚀速率 CVD H2O 氢氟酸氟化物 HF-PO4 SiO2 psg PO

SiO2和psg膜的湿法化学腐蚀及玻璃纯化IC中的腐蚀诱生缺陷

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 1987年第3期 67-73+46页

作者： Werner Kern,杨功铬 RCA实验室

本文第一部份综述有关文献并评价各类二氧化硅和磷硅玻璃湿法化学腐蚀的化学原理、腐蚀机理和腐蚀工艺;第二部分讨论因腐蚀而引起的诱生缺陷。业已证实,玻璃膜复盖层经湿法化学腐蚀之后在集成电路芯片上零散出现的结晶形结构物与氟化铵... 详细信息

本文第一部份综述有关文献并评价各类二氧化硅和磷硅玻璃湿法化学腐蚀的化学原理、腐蚀机理和腐蚀工艺;第二部分讨论因腐蚀而引起的诱生缺陷。业已证实,玻璃膜复盖层经湿法化学腐蚀之后在集成电路芯片上零散出现的结晶形结构物与氟化铵晶体是一样的。当芯片侵入缓冲氢氟酸腐蚀剂过饱和溶液中时,在玻璃膜或氧化物表面上很快就形成氯化物结晶体。于是,在残余介质腐蚀的过程中,它们就作为一种掩蔽物而引起明显的仿形结晶结构。如果这些缺陷密度高,由于出砚表面问题和/或引线联结问题而可能需要返工或者报废整批器件芯片。设法防止腐蚀剂变冷或者变得太浓,或者使用低浓度腐蚀剂成分,均可避免溶液的过饱和问题。

关键词：磷硅玻璃湿法 IC SiO2 化学腐蚀 psg 诱生