作 者:陆鸣
作者机构:上海交通大学LSI研究中心
出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期:1986年第6期
页 面:21-27页
主 题:淀积 钝化膜 二次钝化 光学薄膜 烷氧基 薄层电阻 PSG 淀积速率 磷酸三甲酯 混合热解 有机硅化合物 硅烷
摘 要:PSG(Phosphosilicate Glass)膜是硅器件常用的表面钝化膜.本文介绍一新的常压淀积系统,在外部引入富氧的条件下,可使烷氧基硅烷的热解温度降至400℃以下,从而特别适用于淀积二次钝化膜.给出了工艺的实验曲线和采用正交试验优化的工艺规范以及淀积膜的一般特性.