SiO2和PSG膜的湿法化学腐蚀及玻璃纯化IC中的腐蚀诱生缺陷
作者机构：RCA实验室
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1987年第3期
页 面：67-73+46页
主 题：磷硅玻璃 湿法 IC SiO2 化学腐蚀 PSG 诱生
摘 要：本文第一部份综述有关文献并评价各类二氧化硅和磷硅玻璃湿法化学腐蚀的化学原理、腐蚀机理和腐蚀工艺;第二部分讨论因腐蚀而引起的诱生缺陷。业已证实,玻璃膜复盖层经湿法化学腐蚀之后在集成电路芯片上零散出现的结晶形结构物与氟化铵晶体是一样的。当芯片侵入缓冲氢氟酸腐蚀剂过饱和溶液中时,在玻璃膜或氧化物表面上很快就形成氯化物结晶体。于是,在残余介质腐蚀的过程中,它们就作为一种掩蔽物而引起明显的仿形结晶结构。如果这些缺陷密度高,由于出砚表面问题和/或引线联结问题而可能需要返工或者报废整批器件芯片。设法防止腐蚀剂变冷或者变得太浓,或者使用低浓度腐蚀剂成分,均可避免溶液的过饱和问题。
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