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锗对czsi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响

固体电子学研究与进展 2001年第1期21卷 92-96页

作者：张维连檀柏梅张颖怀孙军生河北工业大学半导体材料研究所天津300130

czsi中掺入等价元素锗 ,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在70 0℃退火时 ,抑制杆状氧沉淀的生成 ,在 90 0℃退火时 ,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明 ,锗并不作为氧沉淀的成核中心 ,氧沉淀及其衍生... 详细信息

czsi中掺入等价元素锗 ,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在70 0℃退火时 ,抑制杆状氧沉淀的生成 ,在 90 0℃退火时 ,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明 ,锗并不作为氧沉淀的成核中心 ,氧沉淀及其衍生的二次缺陷中也不包含锗。文中对锗影响氧沉淀的成核与形态进行了简要的讨论。

关键词：直拉单晶硅氧沉淀锗 czsi 沉淀形态

Φ200mm czsi复合式热场的数值模拟研究

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稀有金属 2008年第2期32卷 161-164页

作者：任丙彦李洪源张燕张兵郭贝河北工业大学材料学院天津300130

对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和... 详细信息

对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据。

关键词： czsi 热场有限元双加热器热对流

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czsi中氧的行为

上海金属（有色分册） 1989年第2期10卷 31-35页

作者：佘思明中南工业大学

讨论了czsi中氧的四类行为:(1)由石英坩埚中直拉法生长晶体时氧的行为;(2)间隙氧的本征行为,例如扩散等;(3)亚稳结构,有O-V_(si),热施主与新施主,(4)热力学稳定结构,有各种氧沉淀及其诱生缺陷。

关键词： czsi 氧热力学行为石英

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czsi的辐照加速氧沉淀现象

半导体杂志 1990年第1期15卷 54-55页

作者：张维连河北工学院

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czsi中Ge增强氧外扩散现象

半导体杂志 1999年第4期24卷 15-17页

作者：张维连檀柏梅孙军生张恩怀张志成河北工业大学半导体材料研究所天津300130

在退火处理时，Ｇｅ易与Ｓｉ中Ｏ形成易挥发的ＧｅＯ复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ增强了氧的外扩散。

关键词： czsi 氧沉淀锗氧外扩散退火处理

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热处理czsi中氧行为的红外光谱研究

半导体技术 1988年第6期 50-52页

作者：曾繁清林金华沈厚运武汉大学分析测试中心武汉大学物理系

本文介绍用170SXFT-IR付里叶变换红外光谱仪,测定500～1200℃、4～120小时热处理半导体czsi的红外光谱.探讨了不同退火条件下Si中氧的退火行为和光谱峰值变化的物理本质.计算了Si中氧的溶解度.

关键词：红外光谱 czsi IR 光谱等时退火热施主

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NTDczsi中氧的沉淀与吸除

功能材料 1998年第6期29卷 596-597页

作者：张维连王志军孙军生张颖怀张恩怀河北工业大学材料研究中心天津300130

在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的czsi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据czsi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在... 详细信息

在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的czsi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据czsi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。

关键词：中子嬗变掺杂辐照缺陷 czsi 氧沉淀退火

掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响

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南开大学学报（自然科学版） 2006年第6期39卷 64-67页

作者：郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英天津大学电子信息工程学院天津300072 河北工业大学材料学院天津300130

研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,... 详细信息

研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少.

关键词： czsi 空洞型微缺陷 FPDs 快速热处理

Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth

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Rare Metals 2006年第1期25卷 7-10页

作者： REN Bingyan ZHAO Long ZHAO Xiuling WANG Huixian CAO Zhongqian ZHU Huimin FU Hongbo School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China Hebei Ningjin Jinglong Semiconductor Factory Ningjin 055550 China Yunnan Semiconductor Device Factory Kunming 650033 China

φ200 mm silicon single crystals were grown in the φ450 mm hot zone of a Czochralski （CZ） furnace. By modifying the pattern and the velocity of the argon flow, the silicon single crystals with different oxygen concentrations were obtained. Through numerical simulation, the velocity of the argon gas flow was plotted for the first time. The experiment resuits were analyzed and the optimum condition of the argon flow with the lowest oxygen concentration was obtained.

关键词： inorganic non-metal material czsi numerical simulation guide shell oxygen concentration