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基于bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层的OLED性能研究

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光电子．激光 2017年第1期28卷 19-24页

作者：杜帅张方辉陕西科技大学电气与信息工程学院陕西西安710021

为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/bphen:(X%)BCP:(5%)Cs_2CO_3(15nm)/Cs_2CO_3(1.5nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP的掺杂浓度,研究了以bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。结果表明,采用bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能,相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10%的bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层,可以使器件的最大电流效率提高46%,达到3.89cd/A,且在电压从为5V上升至10V的过程中,器件的色坐标一直为(0.35,0.55),具有很高的稳定性。原因是由于BCP的高LUMO能级和高HOMO能级,能够有效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加平衡,发光也更加稳定。

关键词：电子传输层 bphen BCP Cs2CO3 有机电致发光器件

bphen掺杂Cs2CO3作为电子传输层对OLED器件性能的影响

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液晶与显示 2015年第6期30卷 943-948页

作者：胡俊涛程群余承东杨劲松梅文娟陆红波王洁然特种显示技术教育部重点实验室特种显示技术国家工程实验室现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地安徽合肥230009 合肥工业大学光电技术研究院安徽合肥230009 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院安徽合肥230009 安徽华能电缆集团有限公司安徽无为238371

为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料bphen及bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变bphen的厚度以及bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效... 详细信息

为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料bphen及bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变bphen的厚度以及bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用bphen或者bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入bphen的器件,采用25nm的bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。

关键词：电子传输层 bphen Cs2CO3 OLED

bphen/Ag/bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响

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半导体光电 2011年第3期32卷 309-312,316页

作者：徐洁李青王洪林慧电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

采用bphen/Ag/bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算... 详细信息

采用bphen/Ag/bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现bphen/Ag/bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能,降低器件的串联电阻。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用,发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。

关键词：有机太阳电池(OSC) 复合缓冲层 bphen 超薄层界面修饰

Optimization of ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/bphen/LiF/Al Layers Configuration for OLED and Study of Its Optical and Electrical Characteristics

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Semiconductor Science and Information Devices 2023年第1期5卷 3-10页

作者： Ritu Sandhya Kattayat H.K.Subania S.Z.Hashmi Jasgurpreet Singh P.A.Avi Department of Physical Science Banasthali VidyapithBanasthaliRajasthan304022India Higher Colleges of Technology PO Box-25026Abu DhabiUAE Department of Physics Government CollegeBhadraHanumangarhRajasthan335501India Department of Chemistry Banasthali VidyapithBanasthaliRajasthan304022India University Centre for Research&Development Department of Mechanical EngineeringChandigarh UniversityGharuanPunjab140413India

Nowadays,OLEDs have shown aesthetic potential in smart cards,sensor displays,other electronic devices,sensitive medical devices and signal monitoring *** to their wide range of applications like low power consumption,high contrast ratio,speed highly electroluminescent,wide viewing angle and fast response *** this paper,a highly efficient organic LED ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/bphen/LiF/Al with low turn-on voltage and high optically efficiency is presented including electrical and optical *** simulation of electrical characteristics like current versus applied voltage,current density versus applied voltage,recombination prefactor versus excess carrier density characteristics and optical characteristics like light flux versus current density,light flux versus applied voltage and optical efficiency versus applied voltage has been *** physical design,working principle and thickness of different layers along with the process of formation of singlet and triplet excitons are discussed in *** double electron transport layer(ETL),cathode layers are used to enhance the electrical and optical efficiency of *** operating voltage is found to be~3.2 V for the ITO/V_(2)O_(5)/Alq3/TPBi/bphen/LiF/Al heterostructure based *** designed organic LED has achieved the maximum optical efficiency at 3 V.

关键词： OLED Alq3 bphen TPBi I-V characteristics

bphen作为缓冲层对有机太阳能电池的光电性能影响

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光电子技术 2010年第4期30卷 250-254页

作者：黄秋炎钟建刘峰高卓于军胜蒋亚东电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,使用bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/bphen(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OSC)。考察OSC性能与缓冲层bphen厚度之间的关系,优化器件的结构。在标准太阳光照条件下(AM1.5)测量器件的I-V特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与缓冲层厚度密切相关。采用高真空蒸发的方法,制作了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/bphen(x)/Ag(100 nm)的器件,器件效率随着bphen厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.85%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.22%;而当厚度为5 nm时,效率为1.69%;当厚度为7.5 nm时,效率则为0.79%,当厚度为10 nm时,效率则为0%。

关键词：有机太阳能电池光伏效应缓冲层 bphen

实时定量PCR法分析白桦中一花发育相关基因bphen的时序表达

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东北林业大学学报 2006年第1期34卷 1-2,6页

作者：杨传平魏继承李同华王超姜静东北林业大学哈尔滨150040

对白桦花序进行分期取材,以CTAB法提取各期材料的总RNA,应用SMART(Switching Mechanism At5′end of RNA Transcript)策略合成cDNA。根据bphen序列片段设计引物,通过特异扩增、产物纯化、梯度稀释,制备出系列标准样。通过实时定量PCR分... 详细信息

对白桦花序进行分期取材,以CTAB法提取各期材料的总RNA,应用SMART(Switching Mechanism At5′end of RNA Transcript)策略合成cDNA。根据bphen序列片段设计引物,通过特异扩增、产物纯化、梯度稀释,制备出系列标准样。通过实时定量PCR分析bphen在各取材时期的表达情况表明,bphen在雌花序中的表达要高于雄花序,且在雌花序中有3个表达高峰,分别对应于授粉期、胚珠发育期、果实发育期。

关键词：白桦 bphen 表达实时定量PCR

A high mobility C_(60) field-effect transistor with an ultrathin pentacene passivation layer and bathophenanthroline/metal bilayer electrodes

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Chinese Physics B 2012年第2期21卷 498-503页

作者： Zhou Jian-Lin Yu Jun-Sheng Yu Xin-Ge Cai Xin-Yang State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices School of Optoelectronic InformationUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Department of Electronic Engineering College of Communication and ElectronicsChongqing UniversityChongqing 400044China

C60 field-effect transistor （OFET） with a mobility as high as 5.17 cm2/V.s is fabricated. In our experiment, an ultrathin pentacene passivation layer on poly-（methyl methacrylate）（PMMA） insulator and a bathophenanthroline （bphen）/Ag bilayer electrode are prepared. The OFET shows a significant enhancement of electron mobility compared with the corresponding device with a single PMMA insultor and an Ag electrode. By analysing the C60 film with atomic force microscopy and X-ray diffraction techniques, it is shown that the pentacene passivation layer can contribute to C60 film growth with the large grain size and significantly improve crystallinity. Moreover, the bphen buffer layer can reduce the electron contact barrier from Ag electrodes to C60 film efficiently.

关键词： organic field-effect transistors C60 bphen passivation layer

激基复合物给体作间隔层对激子复合区域的调节

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发光学报 2017年第4期38卷 514-520页

作者：高浩锋方圣欢张叶峰陆勍吕昭月华东理工大学理学院物理系上海200237

为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/bphen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/bphen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,其中靠近bphen的TPD称之为间隔层。电致发光光谱表明,该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/bphen界面,分别发射595 nm和478 nm的光。随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高,发光区域向激基复合物区域(TPD/bphen界面)移动,即更多的电子和空穴在TPD/bphen界面形成激基复合物发光,Ir(pq)2(acac)发光减弱。当间隔层厚度由0 nm增至10nm时,6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5。对于间隔层厚度为6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0。由此可见,激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域。

关键词：间隔层激基复合物激子复合区域 TPD bphen

具有高效空穴注入的高电子传输层的白光电致发光器件

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光电子．激光 2009年第3期20卷 308-312页

作者：马军伟张良曹进蒋雪茵张志林上海大学材料科学与工程学院新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海201800

以MoO3或m-MTDATA作为空穴注入层,Alq3或bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件。发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.05%的4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色掺杂剂。研究表明基于MoO3//bphen结构的器件大大降低了驱动电压,改善了功率效率,在电流密度为20mA/cm2时,其值分别为5.43V和4.54lm/W。与基于m-MTDA-TA//Alq3结构的器件相比,驱动电压降低了40%,功率效率提高57%。

关键词：有机电致发光 MoO bphen 载流子平衡