Bphen/Ag/Bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响

作     者：徐洁 李青 王洪 林慧 XU Jie;LI Qing;WANG Hong;LIN Hui

作者机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2011年第32卷第3期

页      面：309-312,316页

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金创新群体项目(61021061) 

主　　题：有机太阳电池(OSC) 复合缓冲层 Bphen 超薄层 界面修饰 

摘      要：采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能,降低器件的串联电阻。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用,发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。