BPhen作为发光层间隔层对黄光OLED的影响
Effects of BPhen as Spacer Layer in Light Emitting Layer on Yellow OLED作者机构:陕西科技大学理学院陕西西安710021
出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期:2016年第37卷第1期
页 面:38-43页
核心收录:
基 金:国家自然科学基金(61076066) 陕西省科技统筹创新工程计划(2011KTCQ01-09)资助项目
摘 要:使用R-4B和GIrl作为磷光掺杂剂、CBP为主体、BPhen为发光层间隔层,制备了包含红、绿双发光层的黄色磷光OLED器件。器件结构为ITO/Mo O3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶GIrl(14%)(20nm)/BPhen(x nm)/CBP∶R-4B(6%)(10 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/Li F(1 nm)/Al(1 000 nm)。BPhen位于两发光层之间,具有调节载流子复合的功能,其中x为BPhen的厚度。通过调整x的值,研究了BPhen厚度对OLED器件发光性能的影响。实验结果表明,适当厚度的BPhen层可以提高器件的发光亮度和电流效率。BPhen厚度为6 nm的器件性能最佳,16 V驱动电压下的器件亮度最高可达11 270 cd/m2,最大电流效率为24.35 cd/A,而且绿光和红光波峰强度相近,黄光颜色纯正,色坐标趋近于(0.5,0.5)。