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非掺杂GaN的黄光发射模型确定

物理学报 2002年第5期51卷 1149-1152页

作者：赖天树林位株莫党中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系广州510275

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射 .实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位。

关键词：非掺杂GaN 黄光发射模型 GaN薄膜黄光发射吸收归一化光致发光激发谱氮化镓薄膜半导体

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非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究

中山大学学报（自然科学版） 2002年第1期41卷 116-118页

作者：赖天树林位株莫党中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理学系广东广州510275

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位。

关键词： GaN薄膜黄光发射吸收归一化光致发光激发谱发光机理非掺杂氮化钙薄膜发光强度

含5-(三氟甲基)-2-吡啶甲酸的黄光铱配合物的合成、光物理性质及量化计算研究（英文）

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化学通报 2016年第10期79卷 947-951页

作者：魏新玉王世民魏东辉商丘市质量技术监督检验测试中心商丘476000 河南工程学院材料与化学工程学院郑州451191 郑州大学化学与分子工程学院郑州450001

利用环金属化配体2-(2’,4’-二氟苯基)-4-甲基吡啶(dfpmpy)和辅助配体5-(三氟甲基)-2-吡啶甲酸(tfmpic)合成了一个铱配合物[Ir(dfpmpy)2(tfmpic)],并测定了该配合物的光物理和电化学性质。在乙腈溶液中,配合物发射黄色磷光,其最大波长... 详细信息

利用环金属化配体2-(2’,4’-二氟苯基)-4-甲基吡啶(dfpmpy)和辅助配体5-(三氟甲基)-2-吡啶甲酸(tfmpic)合成了一个铱配合物[Ir(dfpmpy)2(tfmpic)],并测定了该配合物的光物理和电化学性质。在乙腈溶液中,配合物发射黄色磷光,其最大波长位于554 nm,理论计算表明其磷光来自于金属和环金属化配体到辅助配体或配体间的电荷转移跃迁(3MLCT或3LLCT)。

关键词： 5-(三氟甲基)-2-吡啶甲酸铱配合物黄光发射

Dy^(3+)掺杂SrGdGa_(3)O_(7)晶体的晶体生长,结构、光学和可见光荧光特性

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无机材料学报 2023年第12期38卷 1475-1482页

作者：王海东王燕朱昭捷李坚富 LAKSHMINARAYANA Gandham 涂朝阳中国科学院福建物质结构研究所福州350002 中国科学院大学北京100049 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) 福州350108 韩国庆北国立大学智能建筑自动化中心韩国大邱41566

采用Chzochralski方法成功生长了Dy^(3+)掺杂的SrGdGa_(3)O_(7)晶体,并对其结构和光学特性进行了详细研究。基于XRD数据,采用Rietveld法优化了晶体的晶格参数。分析了Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体的偏振吸收谱、偏振发射谱和荧光衰减曲线。在... 详细信息

采用Chzochralski方法成功生长了Dy^(3+)掺杂的SrGdGa_(3)O_(7)晶体,并对其结构和光学特性进行了详细研究。基于XRD数据,采用Rietveld法优化了晶体的晶格参数。分析了Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体的偏振吸收谱、偏振发射谱和荧光衰减曲线。在452 nm处,π偏振和σ偏振对应的吸收截面分别为0.594×10^(-21)和0.555×10^(-21)cm^(2)。计算得到的有效J-O强度参数Ω_(2)、Ω_(4)和Ω_(6)分别为5.495×10^(-20)、1.476×10^(-20)和1.110×10^(-20)cm^(2)。J-O理论分析和荧光光谱表明:在452 nm激发下,Dy:SrGdGa_(3)O_(7)晶体4F9/2→6H_(13/2)跃迁在可见光波段具有最高的荧光分支比和荧光强度,在574 nm处的π和σ偏振发射截面分别为1.84×10^(-21)和2.49×10^(-21)cm^(2)。Dy^(3+):4F9/2能级的辐射寿命和荧光寿命分别为0.768和0.531 ms,量子效率为69.1%。研究结果表明:Dy^(3+):SrGdGa_(3)O_(7)晶体是一种潜在的可用于蓝光LD泵浦实现黄激光的材料。

关键词：晶体生长 Dy^(3+):SrGdGa_(3)O_(7) 光学性能黄光发射

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一种阳离子型黄光铱配合物的合成及性质研究

广州化工 2022年第24期50卷 97-99页

作者：于坤沈舒婷王亚轩胡磊王慧皖南医学院药学院安徽芜湖241002

以对苯二甲醛、1,10-菲啰啉和4-(2-吡啶基)苯甲醛为原料,设计合成了一种阳离子型铱配合物IrL1,借助现代分析测试技术对其结构进行了系统表征。研究了配合物IrL1的光物理性能及细胞成像情况,结果表明配合物IrL1的最大发射波长位于黄光区... 详细信息

以对苯二甲醛、1,10-菲啰啉和4-(2-吡啶基)苯甲醛为原料,设计合成了一种阳离子型铱配合物IrL1,借助现代分析测试技术对其结构进行了系统表征。研究了配合物IrL1的光物理性能及细胞成像情况,结果表明配合物IrL1的最大发射波长位于黄光区域,是一种新型的黄光发射阳离子型铱配合物。由于配合物IrL1具有较高的细胞存活率和较好的生物相容性,已被成功用于细胞成像研究。

关键词：铱配合物黄光发射细胞成像

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Ge掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

材料导报 2010年第12期24卷 17-19,22页

作者：范东华王相虎五邑大学应用物理与材料学院江门529020 上海电机学院机械学院上海200240

采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射。通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的... 详细信息

采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射。通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合。

关键词： Ge掺杂ZnO薄膜光致发光蓝光发射黄光发射

新型多氟代苝基荧光材料的合成、光学性质及其在LED器件中的应用

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南京工业大学学报（自然科学版） 2022年第4期44卷 380-386,435页

作者：施红张清陆佳鹏朱森强苏欢刘睿朱红军江苏信息职业技术学院智能工程学院江苏无锡214153 南京工业大学化学与分子工程学院江苏南京211800

以苝为母体,通过引入全氟联苯基,设计合成一种新型多氟代苝基荧光分子3-(全氟-[1,1′-联苯]-4-基)苝(PFD)。经核磁共振氢谱(^(1)H NMR)及高分辨质谱(HRMS)等技术对目标产物进行结构验证,并结合量子化学计算,系统研究其紫外-可见吸收、... 详细信息

以苝为母体,通过引入全氟联苯基,设计合成一种新型多氟代苝基荧光分子3-(全氟-[1,1′-联苯]-4-基)苝(PFD)。经核磁共振氢谱(^(1)H NMR)及高分辨质谱(HRMS)等技术对目标产物进行结构验证,并结合量子化学计算,系统研究其紫外-可见吸收、荧光发射、量子产率及电化学性质。结果表明:在溶液中,PFD于300~475 nm波长范围内展现出强而宽的特征吸收,于425~600 nm波长范围内展现出具有精细结构的荧光发射,乙腈溶液中的最大发射波长(λ^(max)_(em))为460 nm,相对荧光量子产率(Φ_(em))为96%;在固态下,PFD于560 nm处表现出黄光发射,固态绝对荧光量子产率为30%。基于此,将PFD作为发光材料涂敷于蓝光驱动的发光二极管(LED)芯片上,并成功制备出黄光发射的LED器件,此器件的国际照明委员会(CIE)色度坐标为(0.43,0.54),色纯度为93.7%。这种全氟联苯基取代的苝衍生物PFD在新型荧光材料的设计合成及低成本LED发光器件制备等方面都具有潜在的应用前景。

关键词：苝全氟联苯基荧光材料黄光发射 LED 量子产率有机发光材料

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全固态橙黄光源

激光与光电子学进展 2005年第7期42卷 62-62页

作者：罗山

丹麦技术大学和瑞典理工学院合作研制的全同态橙黄光源有许多生物医学应用。此光源之所以有吸引力．是因为其橙黄光发射与血液中血红蛋白的吸收窗匹配。以激光二极管抽运全同态系统，以Nd：YVO4激光的1064nm和1342nm内腔和频，产生750m... 详细信息

丹麦技术大学和瑞典理工学院合作研制的全同态橙黄光源有许多生物医学应用。此光源之所以有吸引力．是因为其橙黄光发射与血液中血红蛋白的吸收窗匹配。以激光二极管抽运全同态系统，以Nd：YVO4激光的1064nm和1342nm内腔和频，产生750mW以上的橙黄光(593．5nm)连续波输出。铜蒸气和各种染料激光等常规光源由于尺寸大．需要冷却，而使用不便。

关键词：光源橙黄全固态激光二极管抽运 Nd:YVO4 生物医学应用合作研制血红蛋白黄光发射染料激光吸引力连续波铜蒸气同态和频

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光电功能材料

中国光学 2000年第3期14卷 98-98页

TN304.054 2000032158N型GaN的持续光电导=Persistent photoconductivityin N-GaN[刊,中]/汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1999,20（5）.—371-377报道了金属有机物化学气相外延（MOCPE）生长的未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导。在不同温度下观察了光电导的少生和衰变行为。实验结果表明,未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGs

关键词：持续光电导半导体化学气相外延深能级缺陷黄光发射金属有机物掺杂衰变行为光电功能材料实验结果