非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
Mechanism of Yellow Photoluminescence in Undoped GaN Films作者机构：中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理学系广东广州510275
出 版 物：《中山大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni)
年 卷 期：2002年第41卷第1期
页 面：116-118页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (6 98880 0 5 ) 广东省自然科学基金资助项目 (970 148)
主 题：GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱 发光机理 非掺杂氮化钙薄膜 发光强度
摘 要：提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
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