非掺杂GaN的黄光发射模型确定
Determination of yellow photoluminescence model in undoped GaN作者机构：中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室物理系广州510275
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2002年第51卷第5期
页 面：1149-1152页
核心收录：
基 金：国家自然科学基金 (批准号 :6 98880 0 5 6 0 1780 2 0 ) 广东省自然科学基金 (批准号 :970 14 8 0 112 0 4)资助的课题~~
主 题：非掺杂GaN 黄光发射模型 GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱 氮化镓薄膜 半导体
摘 要：提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射 .实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
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