检索结果-南通市图书馆

周口师范学院学报 1995年第3期15卷 14-15页

作者：杜远东周口师专物理系

本人在电子技术教学过程中,发现普通的教科书中,有两处极易使学生产生误解,造成学习困难,现给以说明和修正。1 对晶体管发射结电压UBE的注释文献①中,在讲到晶体管的静态工作点受温度的影响时,论述为:首先看IB。

关键词：晶体管场效应管转移特性曲线

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通信行波管转移特性测试方法

真空电子技术 2022年第1期35卷 51-54,85页

作者：许茜中国电子科技集团公司第十二研究所北京100015

行波管一般作为微波放大器的末级,其性能好坏直接影响到通信整机系统的性能。在测试过程中,由于受到矢量网络分析仪的信号源输出功率和行波管增益限制,多采用固态放大器作为前级放大器推动行波管达到所需功率要求,因此不能直接精确得到... 详细信息

行波管一般作为微波放大器的末级,其性能好坏直接影响到通信整机系统的性能。在测试过程中,由于受到矢量网络分析仪的信号源输出功率和行波管增益限制,多采用固态放大器作为前级放大器推动行波管达到所需功率要求,因此不能直接精确得到行波管自身的特性。采用本测试方法可以去除固态放大器的影响,提高测试行波管的转移特性曲线的准确度。

关键词：矢量网络分析仪行波管固态放大器转移特性曲线

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碲纳米线的电输运性能研究

碲纳米线的电输运性能研究

作者：蔡娜湖南师范大学

学位级别：硕士

碲,是一种重要的半导体材料,其禁带宽度为0.34 ev。碲的化合物纳米材料是非常重要的半导体光电材料,具有很优异的物理和化学性质,在半导体纳米器件和生物医学领域有广阔的应用前景。本文选取碲纳米线为研究对象,研究碲纳米线的电输运性... 详细信息

碲,是一种重要的半导体材料,其禁带宽度为0.34 ev。碲的化合物纳米材料是非常重要的半导体光电材料,具有很优异的物理和化学性质,在半导体纳米器件和生物医学领域有广阔的应用前景。本文选取碲纳米线为研究对象,研究碲纳米线的电输运性能和光电特性。本文的主要研究工作如下:1.本文采用水热法合成了具有分散性良好、纯度高、结晶性好的单根Te纳米线,直径约为80 nm-200 nm。利用XRD和SEM分析手段对合成的碲纳米线进行表征,结果表明XRD图显示的最强峰[101]是碲纳米线的生长方向。2.采用深紫外曝光接触式光刻技术和金属剥离技术,构筑了基于单根Te纳米线的“金属/Te纳米线/金属”型半导体纳米器件。3.在室温下,测试了Te纳米线半导体器件分别在空气和真空中的电输运性能,结果表明金属电极和碲纳米线具有良好的欧姆接触。通过分析Te纳米器件的场效应特性曲线,发现漏电流Ids随着栅压Vgs的下降而减小,表明Te纳米器件是一个典型的P型半导体。实验还发现,空穴载流子的迁移率达到了750 cm2v-1s-1。随着相对湿度的增加,吸附在碲纳米线的表面的水分子数目增加,因此碲纳米线表面被水吸附的电子数也会相应增加,引起纳米线的表面电势降低,吸引更多的空穴到表面层。此种现象也会导致碲纳米线本身的电导增加。4.在不同波长的光照射下,发现Te纳米线具有负光电导现象。光生电子会吸附在纳米线的表面,并与其内部的空穴载流子复合,导致碲纳米线内部的空穴载流子浓度降低,故碲纳米线内部的空穴浓度是影响碲纳米线电导的未来希望通过测试碲纳米线在真空中的时间响应图,进一步验证上述碲纳米线的负光电导产生的机理。通过进一步研究可控制备碲纳米线的方法,为以后制备CdTe、Ag2Te、Bi2Te3等功能材料提供一个理想的模板。

关键词：碲纳米线场效应晶体管电输运性能负光电导转移特性曲线

Simplified Method of Designing FIR Filter with Controllable Center Frequency

同方学位论文库评论

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Transactions of Tianjin University 2010年第4期16卷 262-266页

作者：黄翔东褚晶辉吕卫崔海涛王兆华 School of Electronics and Information Engineering Tianjin University

A novel simplified method is presented to design FIR filter with controllable center frequency. The properties of transfer curves for all-phase filters are illustrated under 3 windowing conditions. By combining single-window all-phase filter design steps and double phase-shift combination, a series of design formulas for point-pass filter, notch filter, band-pass filter and band-stop filter are derived, thus the design computation complexity is greatly reduced. Experiments prove that the center frequency of all the filters can be accurately specified at arbitrary position by adjusting frequency parameters m and λ.

关键词： FIR滤波器设计中心频率可控转移特性曲线陷波滤波器带阻滤波器带通滤波器计算复杂性

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实验室用锯齿电压非线性系数测量装置的设计

山东工商学院学报 1994年第2期14卷 63-69页

作者：王玉明

一、问题的提出在电子技术中,锯齿电压的工作段,一般是靠电流对电容器的充电而获得的.例如图1中,充电电流为i,那么电容器“c”上的电压为:

关键词：锯齿电压非线性系数阴极输出器测量装置转移特性曲线实验室用限幅器电容器基准电压电子管手册

利用可编程序台式电子计算机进行MOS集成电路的设计

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吉林大学学报(自然科学版) 1978年第3期 60-67页

作者：陆大成吉林大学半导体系

本文报导利用可编程序台式电子计算机设计MOS集成电路的一种方法,其中包括:阈电压、反相器的直流与瞬态特性以及饱和MOS负载反相器的设计程序,计算时采用了简化的模型,并把计算结果与实验数据进行了比较。

关键词： MOS 反相器计算机硅栅转移特性曲线可编程序

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CMOS器件参数的温度特性研究

微处理机 1988年第3期 1-8页

作者：喻德顺王宏崔艳玲电子工业部东北微电子研究所

CMOS 器件参数随温度的变化是 CMOSIC 高低温条件下失效的主要因素。本文从半导体器件的基础理论和 IC 设计理论出发,结合实验,着重分析了限制CMOS 数字 IC 工作温度范围的主要参数随温度的变化规律,给出了对这些参数进行理论计算、实... 详细信息

CMOS 器件参数随温度的变化是 CMOSIC 高低温条件下失效的主要因素。本文从半导体器件的基础理论和 IC 设计理论出发,结合实验,着重分析了限制CMOS 数字 IC 工作温度范围的主要参数随温度的变化规律,给出了对这些参数进行理论计算、实际测量和计算机模拟所得到的温度数据、曲线和结论。并从工艺设计、版图设计等方面提出了较为实用的提高 CMOS数字 IC 温度稳定性、扩大其工作温度范围的有效措施。

关键词： CMOS 倒相器温度特性载流子迁移率转移特性曲线硅栅器件参数沟道长度

MOS器件阈值电压衬偏效应简化模型及其在MOS IC中的应用

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微电子学与计算机 1983年第5期 29-34页

作者：潘福美骊山微电子公司

一、引言在MOSIC设计中,通常需要考虑MOS器件源—衬底结反向偏压(简称衬底反偏电压VBS)对器件阈值电压VT的影响。VBS为衬底偏置电源电压VBB与非接地源极对地电压之和。VBS对NMOS的影响比对PMOS大。因此NMOSIC设计必须计及VBS对VT的影响... 详细信息

一、引言在MOSIC设计中,通常需要考虑MOS器件源—衬底结反向偏压(简称衬底反偏电压VBS)对器件阈值电压VT的影响。VBS为衬底偏置电源电压VBB与非接地源极对地电压之和。VBS对NMOS的影响比对PMOS大。因此NMOSIC设计必须计及VBS对VT的影响,VT随VBS变化的定量关系为

关键词：自举电路反相器脉冲电路简化模型转移特性曲线 VTR 方程式方程衬偏效应表达式 MOS IC 常数数学 IC 器件

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绝缘栅场效应管的机理研究

三峡大学学报(自然科学版) 1983年第1期 63-70页

作者：陈德芳

结型场效应管虽然栅源电阻高达100兆欧以上,但有时还嫌不够高,而且在高温工作时,阻值会有显著下降。另外从制造工艺方面来看,高度集成化困难。因此就常用绝缘栅场效应管。它的导电机构与结型场效应管不同。结型是利用导电沟道两侧的耗... 详细信息

结型场效应管虽然栅源电阻高达100兆欧以上,但有时还嫌不够高,而且在高温工作时,阻值会有显著下降。另外从制造工艺方面来看,高度集成化困难。因此就常用绝缘栅场效应管。它的导电机构与结型场效应管不同。结型是利用导电沟道两侧的耗尽区的变化来控制漏极电流;而绝缘栅型则是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的导电性能,达到控制漏极电流的目的。

关键词：耗尽区衬底基片绝缘栅场效应管漏极电流转移特性曲线沟道耗尽层栅极夹断电压饱和电流载流子(半导体) 自由电子

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实用于CAD的小尺寸MOSFET解析模型

固体电子学研究与进展 1988年第4期 411-417页

作者：刘军徐葭生清华大学微电子学研究所

一、引言 SPICE电路模拟程序自用于IC的辅助设计已有十多年历史,它在IC的发展过程中起了很大作用。但随着IC向超大规模发展,过去并未能引起人们给予足够注意的,存在于MOSFET中的小尺寸效应已越来越严重,而SPICE程序中所用到的MOS模型却... 详细信息

一、引言 SPICE电路模拟程序自用于IC的辅助设计已有十多年历史,它在IC的发展过程中起了很大作用。但随着IC向超大规模发展,过去并未能引起人们给予足够注意的,存在于MOSFET中的小尺寸效应已越来越严重,而SPICE程序中所用到的MOS模型却没有合适地考虑这些效应对器件或电路性能的影响,因此原SPICE程序已不适应于目前工艺水平下的VLSI设计工作需要,必须改进或重建所用到的MOS模型。

关键词： MOSFET 埋沟增强型沟道区非均匀掺杂 CAD 转移特性曲线