MOS器件阈值电压衬偏效应简化模型及其在MOS IC中的应用
作者机构：骊山微电子公司
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1983年第5期
页 面：29-34页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：自举电路 反相器 脉冲电路 简化模型 转移特性曲线 VTR 方程式 方程 衬偏效应 表达式 MOS IC 常数 数学 IC 器件
摘 要：一、引言在MOSIC设计中,通常需要考虑MOS器件源—衬底结反向偏压(简称衬底反偏电压VBS)对器件阈值电压VT的影响。VBS为衬底偏置电源电压VBB与非接地源极对地电压之和。VBS对NMOS的影响比对PMOS大。因此NMOSIC设计必须计及VBS对VT的影响,VT随VBS变化的定量关系为
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