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ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

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液晶与显示 2016年第4期31卷 370-374页

作者：林致远杨成绍邹志翔操彬彬黄寅虎文锺源王章涛合肥鑫晟光电科技有限公司安徽合肥230012

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(IT... 详细信息

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20V],下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。

关键词：高开口率高级超维场转换技术非晶硅薄膜电晶体 Poole-Frenkel

不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

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液晶与显示 2016年第5期31卷 460-463页

作者：林致远马骏林亮杨成绍邹志翔黄寅虎文锺源王章涛合肥鑫晟光电科技有限公司安徽合肥230012

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on... 详细信息

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。

关键词：高开口率高级超维场转换技术非晶硅薄膜电晶体双栅极

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具有低功耗特性的TFT-LCD新结构

光电子技术 2019年第4期39卷 289-291页

作者：刘仕彬顾志英李志红蒋隽廖家德钟德镇昆山龙腾光电股份有限公司

提出了一种新的低功耗TFT-LCD设计,该TFT结构具有不同以往的彩色滤光片结构,并带有减薄后的图形化钝化层,使得液晶电场的操作效率增加,并减少电场的耗损。该设计的光学特性使用了数值分析方法来加以仿真,仿真结果指出新显示屏的操作电... 详细信息

提出了一种新的低功耗TFT-LCD设计,该TFT结构具有不同以往的彩色滤光片结构,并带有减薄后的图形化钝化层,使得液晶电场的操作效率增加,并减少电场的耗损。该设计的光学特性使用了数值分析方法来加以仿真,仿真结果指出新显示屏的操作电压比传统显示屏更低,进而整体功耗被降低。实际样品的功耗测量结果也与仿真结果相符。

关键词：低功耗非晶硅薄膜电晶体液晶显示屏结构设计

一种减少TFT显示板上闸驱动器输出电晶体应力效应的设计

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电子器件 2008年第1期31卷 124-129页

作者：萧敏学曹铭原吴鸿璋郑经华刘堂杰逢甲大学电子工程系电机与通讯工程研究所中国台湾

为了降低TFT-LCD闸驱动电路中电晶体因長期承受高的闸电压应力造成門限(Threshold)电压之劣化现象,本研究中用双下拉结构与放电路徑方式设计了一个高可靠性的TFT-LCD面板整合(On-panel)闸驱动电路。其中,交互道通的双下拉结构減少下拉... 详细信息

为了降低TFT-LCD闸驱动电路中电晶体因長期承受高的闸电压应力造成門限(Threshold)电压之劣化现象,本研究中用双下拉结构与放电路徑方式设计了一个高可靠性的TFT-LCD面板整合(On-panel)闸驱动电路。其中,交互道通的双下拉结构減少下拉电晶体的承力時間;放电路径则将输出驱动电晶体高的闸极电压及時洩放。所提结构由台积电(TSMC)0 .35μmCMOS制程技术制作之评估晶片经测试显示,门限电压的偏移量減少了近45 % ,改善效果极为显著。应用到α-Si TFT-LCD面板整合闸驱动器上,其成效当可预期。

关键词：应力效应可靠性放电路径闸驱动器薄膜电晶体液晶显示器

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美国开发出7.4英寸柔性OLED显示器

稀土信息 2012年第6期18卷 25-25页

美国亚利桑那州立大学的柔性显示器中心（F1exibleDisplavCenter，FDC）宣布，已开发出一款据称是全球最大尺寸的柔性彩色有机发光显示器（OLED）原型。该显示器对角线尺寸为7．4英时，采用先进的混合氧化薄膜电晶体（T丌）技术，是由FD... 详细信息

美国亚利桑那州立大学的柔性显示器中心（F1exibleDisplavCenter，FDC）宣布，已开发出一款据称是全球最大尺寸的柔性彩色有机发光显示器（OLED）原型。该显示器对角线尺寸为7．4英时，采用先进的混合氧化薄膜电晶体（T丌）技术，是由FDC与美国陆军研究实验室的科学家共同开发。该显示器也代表着美国国防部开发全彩、

关键词： OLED显示器柔性显示器美国陆军开发有机发光显示器对角线尺寸薄膜电晶体美国国防部

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神奇的机械像素

互联网周刊 2011年第22期 66-66页

有机发光二极体、薄膜电晶体、电子墨水和其他视频技术在页面上需要像素的支持，而台湾目前研发出一个非传统的方式使得像素技术有了有效的提高，那便是机械像素。

关键词：像素机械视频技术发光二极体薄膜电晶体电子墨水

Poly-Si Thin Film Grown by Excimer Laser Crystallization and Its Ellipsometric Analysis

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Semiconductor Photonics and Technology 2000年第2期6卷 96-99,104页

作者： ZENGXiang－bin XUZhong－yang 等 Dept.ofElectr.Sci.andTechn. HuazhongUniversityofSci.andTechn.Wuhan430074CHN Dept.ofElectr.Sci.andTe

A novel approach of two-step laser crystallization for the growth of poly-Si thin film on glass substrate is investigated.Using this approach,we fabricated poly-Si thin film transistors with electron mobility of 103 cm^2/V·s and on/off current ration of 1×10^7,They are better than those of the poly-Si TFTs fabricated by conventional single-step excimer laser crystallization.We also analyzed the structure of the laser crysallized poly-Si thin film and calculated the ellipsometric spectra.The calculated results are in good agreement with the measured results.

关键词：多晶硅薄膜激光结晶化薄膜电晶体椭圆光度法