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不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

Effect of different dual gate design on A-Si:H TFT electrical characteristics

作     者:林致远 马骏 林亮 杨成绍 邹志翔 黄寅虎 文锺源 王章涛 

作者机构:合肥鑫晟光电科技有限公司安徽合肥230012 

出 版 物:《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期:2016年第31卷第5期

页      面:460-463页

学科分类:0810[工学-信息与通信工程] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主  题:高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 双栅极 

摘      要:本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。

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