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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 核科学与技术

主题

  • 4 篇 离子束工艺
  • 2 篇 离子源
  • 1 篇 离子注入
  • 1 篇 导电性
  • 1 篇 钕硅化物
  • 1 篇 加速器
  • 1 篇 集成电路
  • 1 篇 注入机
  • 1 篇 负离子束
  • 1 篇 沉积
  • 1 篇 双束沉积
  • 1 篇 mevva源
  • 1 篇 正离子
  • 1 篇 薄膜工艺
  • 1 篇 结晶性能
  • 1 篇 结构

机构

  • 1 篇 南昌大学
  • 1 篇 中科院空间中心
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 北京师范大学

作者

  • 1 篇 宋执中
  • 1 篇 徐飞
  • 1 篇 尤大纬
  • 1 篇 王水凤
  • 1 篇 程国安
  • 1 篇 石路
  • 1 篇 曾宇昕
  • 1 篇 kujii k

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=离子束工艺"
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宽束考夫曼离子源的原理及其使用
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引用
电工电能新技术 1993年 第1期12卷 55-61页
作者： 尤大纬 中科院空间中心
宽束考夫曼离子源被广泛地应用于薄膜工艺刻蚀、镀膜、注入诸领域。近20年来考夫曼离子源在我国得到了迅速的发展。至此已有必要提出正确的使用方法。以纠正一些错误的用法。本文给出一些基本概念以利于如何正确选择工作参数以及维修。
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MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究
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南昌大学学报（理科版） 2002年 第3期26卷 259-261页
作者： 王水凤 曾宇昕 程国安 徐飞 南昌大学物理学系 江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系 江西南昌330047 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室 北京100875 复旦大学应用物理表面国家重点实验室 上海200433
用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdS... 详细信息
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用正离子和负离子的离子束沉积
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国外核聚变与等离子体应用 1997年 第3期 66-74页
作者： Kujii,K 石路
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引人注目的几种离子源
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引用
国际学术动态 1990年 第2期 60-62页
作者： 宋执中
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