咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >宽束考夫曼离子源的原理及其使用 收藏

宽束考夫曼离子源的原理及其使用

THE PRINCIPLE AND OPERATION OF KAUFMAN ION-SOURCE

作     者:尤大纬 

作者机构:中科院空间中心 

出 版 物:《电工电能新技术》 (Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy)

年 卷 期:1993年第12卷第1期

页      面:55-61页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:薄膜工艺 离子源 离子束工艺 

摘      要:宽束考夫曼离子源被广泛地应用于薄膜工艺刻蚀、镀膜、注入诸领域。近20年来考夫曼离子源在我国得到了迅速的发展。至此已有必要提出正确的使用方法。以纠正一些错误的用法。本文给出一些基本概念以利于如何正确选择工作参数以及维修。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分