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机构

  • 1 篇 秦皇岛工业技术玻...
  • 1 篇 机电部第45研究所
  • 1 篇 兰州物理研究所

作者

  • 1 篇 童志义
  • 1 篇 沈祖贻
  • 1 篇 李冠斌
  • 1 篇 杨绍群
  • 1 篇 梁耀廷
  • 1 篇 崔敬忠
  • 1 篇 李智
  • 1 篇 周华

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=磁控反应"
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磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨
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真空 1991年 第1期28卷 20-26页
作者： 杨绍群 沈祖贻 秦皇岛工业技术玻璃厂 秦皇岛市066000
本文主要介绍磁控反应溅射制备大面积 ＩＴＯ薄膜（掺锡氧化铟透明导电薄膜）的导电原理、成膜过程、工艺参数的选择以及不同工艺参数对产品性能的影响。实验结果表明：选择各种合理的工艺参数能够获得不同产品需要的ＩＴＯ薄膜。
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GaN的高速磁控反应离子蚀刻
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发光快报 1995年 第5期16卷 36-37页
作者： 周华
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反应磁控溅射沉积Ti_xAl_yN_z热控薄膜研究
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真空与低温 2005年 第1期11卷 34-39页
作者： 李智 崔敬忠 李冠斌 梁耀廷 兰州物理研究所 甘肃兰州730000
采用反应磁控溅射技术,以Ti和Al为溅射靶材料,Ar和N2为溅射气体,在Al基底上沉积TixAlyNz热控薄膜。优化制备薄膜的最佳实验条件。对薄膜进行XRD、XPS分析及热光学测试,研究了TixAlyNz薄膜的结构特点及热光学特性。结果表明,采用独立Ti... 详细信息
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国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势
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电子工业专用设备 1992年 第1期21卷 13-25页
作者： 童志义 机电部第45研究所
本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM... 详细信息
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