磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨
Research for Technique of Large-area Indium-Tin Oxide Film by Magnetron Reactive Sputtering Method作者机构：秦皇岛工业技术玻璃厂秦皇岛市066000
出 版 物：《真空》 (Vacuum)
年 卷 期：1991年第28卷第1期
页 面：20-26页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文主要介绍磁控反应溅射制备大面积 ＩＴＯ薄膜（掺锡氧化铟透明导电薄膜）的导电原理、成膜过程、工艺参数的选择以及不同工艺参数对产品性能的影响。实验结果表明：选择各种合理的工艺参数能够获得不同产品需要的ＩＴＯ薄膜。
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