检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

电子学报 1996年第2期24卷 89-91页

作者：柳襄怀朱宏郑志宏刘炎源吴静贤中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室中国科学院电子学研究所微波电子学研究室

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的＂栅发射＂得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。

关键词：离子束技术电子发射特性逸出功电真空器件

基于多孔Al_2O_3绝缘层的MIM电子源电子发射特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2015年第11期35卷 1390-1395页

作者：薛涛张小宁刘纯亮西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安710049

针对基于无孔Al_2O_3绝缘层的金属-绝缘层-金属(MIM)电子源存在显著负阻效应和无法在气氛下稳定发射电子的特点,提出并制备了一种Al底电极-多孔Al_2O_3绝缘层-Ti/Au复合顶电极结构的MIM电子源。在真空,不同压强的氮气和空气中的电子发... 详细信息

针对基于无孔Al_2O_3绝缘层的金属-绝缘层-金属(MIM)电子源存在显著负阻效应和无法在气氛下稳定发射电子的特点,提出并制备了一种Al底电极-多孔Al_2O_3绝缘层-Ti/Au复合顶电极结构的MIM电子源。在真空,不同压强的氮气和空气中的电子发射结果表明,Al_2O_3绝缘层经过磷酸扩孔后,MIM电子源的负阻效应在电子发射区间几乎消失,同时增强了电子发射的局部电场,电子获得更好的加速,提高了发射电流。Ti/Au复合顶电极改善了Au膜和多孔Al_2O_3绝缘层的电接触,减小了电子能量的散射。该电子源发射的电子能够激发氮气,在空气和氮气中的发射电流大小受气体及其压强的影响。

关键词：多孔Al2O3 MIM电子源电子发射特性负阻效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅纳米线的电子发射特性

强激光与粒子束 2010年第12期22卷 2945-2948页

作者：陈忠道白书欣李公义李效东万红 College of Aerospace and Materials Engineering National University of Defense Technology Changsha 410073 China

以聚碳硅烷为原料,通过1 200℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射实验。结果表明:与天鹅绒阴极材料相比,碳化硅纳米线具有更高的电子发射电流密度,在115 kV外加激励脉冲高压... 详细信息

以聚碳硅烷为原料,通过1 200℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射实验。结果表明:与天鹅绒阴极材料相比,碳化硅纳米线具有更高的电子发射电流密度,在115 kV外加激励脉冲高压下,电子发射密度为23.7 kA/cm2,而天鹅绒材料为14.0kA/cm2,并具有更好的电子发射品质及更长的使用寿命。因此碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极,具有很好的应用潜力。

关键词：碳化硅纳米线电子发射特性 high power microwave used in SiC 高功率微波源阴极材料天鹅绒发射电流密度使用寿命脉冲高压聚碳硅烷工艺制备高温裂解发射密度原料实验潜力品质结果

阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2012年第10期32卷 857-860页

作者：张玉娟张小宁王文江刘纯亮西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安710049

为了应用于场发射显示器，采用电化学阳极氧化，快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属／多孔硅／硅基底／金属结构的多孔硅电子发射体，并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌，结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密... 详细信息

为了应用于场发射显示器，采用电化学阳极氧化，快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属／多孔硅／硅基底／金属结构的多孔硅电子发射体，并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌，结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加，多孔硅层的厚度随着阳极氧化电流密度和时间乘积的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性，电子发射的阈值电压Vth随着多孔硅层厚度的增加而增加；最大的发射效率η为7．5‰，此效率出现在孔径6—16nm，多孔硅层厚度为11．06μm的样品中，对应的器件电压Vps为30V。

关键词：场发射显示器电子发射特性扫描电镜多孔硅阳极氧化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳钛颗粒膜的表面电子发射特性研究

碳钛颗粒膜的表面电子发射特性研究

作者：任雯西安工业大学

学位级别：硕士

表面传导电子发射显示器（Surface-conduction Electron-emitter Display,简称SED）较传统的平板显示器具有很多的优势。它是属于场致发射显示器件（FED）的一种,采用平面制作工艺,克服了传统FED所存在的均匀性和稳定性;成本要比LCD和PD... 详细信息

表面传导电子发射显示器（Surface-conduction Electron-emitter Display,简称SED）较传统的平板显示器具有很多的优势。它是属于场致发射显示器件（FED）的一种,采用平面制作工艺,克服了传统FED所存在的均匀性和稳定性;成本要比LCD和PDP低,且具有CRT的高画质优点,所以吸引了更多的学者研究及开发商的兴趣。本论文使用磁控溅射方法制作碳钛颗粒膜作为SED的电子发射材料,研究表面电子发射特性。主要内容包括三方面：碳钛颗粒膜工艺研究;原型器件制备;原型器件进行电子发射性能研究以及表面电子发射机理分析。经过反复试验,优化各个工艺参数,以及器件的电子发射性能,得出以下结果： ①研究改变磁控溅射靶基距、靶材中碳钛成分比例、工作气压对碳钛颗粒膜特性的影响。实验结果表明,在靶基距为40mm时薄膜均匀性最佳,达到了90%;薄膜随靶材中钛比例的增加沉积速率增加;随着工作气压的增大,沉积速率出现峰值,峰值沉积速率达到2.02nm/s;另外靶材中较高的钛含量,明显导致颗粒膜电阻率下降。 ②使用SEM、EDS和XPS对颗粒膜的形貌、元素成分以及键合结构进行表征。结果表明薄膜表面光滑平整;在靶材C：Ti比为1：3,靶基距40mm,测量颗粒膜中Ti和C成分比在105左右;XPS结果表明所沉积的颗粒膜,其主要成分含有Ti和C。其中C元素部分形成C-C键,部分形成Ti-C键;Ti元素部分和C键合,部分以单质的形式存在薄膜中。 ③研究了原型器件的图形化工艺,优化了光刻的工艺参数。结果表明甩胶低速时间和速度为15s和1000r/min,高速时间和速度为50s和3000/min时,光刻胶均匀性较好;前烘时间和温度分别为10min和105℃,光刻曝光时间为60s,显影时间为34s,后烘时间和温度为15min和105℃的条件下,能够形成边缘清晰且没有杂质的图形。 ④研究不同碳钛比例和不同器件结构对电子发射的影响,经过电形成得到了所必须的纳米级缝隙结构,探测到稳定发射电流。试验结果发现在靶材碳钛比例为3：1时,探测到最大发射电流为7.6gA,发射效率达到1‰;在电极间距宽度为100μm,发射材料最窄宽度为5μm时,发射体材料更容易出现纳米缝隙,更易产生稳定的发射电流。 ⑤结合场发射的F-N理论,可以获得线性的曲线,表明电子发射是由场发射产生的。

关键词：表面传导电子发射显示碳钛颗粒膜电子发射特性纳米缝隙

纳米硅薄膜冷阴极的磁控溅射法制备及电子发射特性研究

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米硅薄膜冷阴极的磁控溅射法制备及电子发射特性研究

2016真空电子学分会第二十届学术年会

作者：赵魏周蒙杨胡文波西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室

本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性。研究了不同工艺参数对纳米硅薄膜表面形貌及电子发射特性的影... 详细信息

本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性。研究了不同工艺参数对纳米硅薄膜表面形貌及电子发射特性的影响,发现随着溅射过程中通入氧气流量比例的降低,薄膜表面颗粒尺寸逐渐变小,薄膜厚度呈现逐渐增厚的趋势。在氧气与氩气流量比为20 sccm/20 sccm及退火时间为60 min的条件下得到了较好的电子发射特性,在18V栅极电压下测得二极管电流密度和发射电流密度分别为4.69 m A/cm和44.6μA/cm并计算得到最高为0.95%的发射效率。

关键词：磁控溅射纳米硅薄膜电子发射特性

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

硅场发射器中电子发射特性退化的机理

现代显示 1997年第2期 26-30页

研究了硅场发射器中电子发射特性的退化和它的机理。利用化学—机械—磨光工序，制造出三级型硅场发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴级电流开始显著地降低。随着阳极电流增大，临界时间ｔｃ将缩短。在ｔｃ时间内反复测量... 详细信息

研究了硅场发射器中电子发射特性的退化和它的机理。利用化学—机械—磨光工序，制造出三级型硅场发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴级电流开始显著地降低。随着阳极电流增大，临界时间ｔｃ将缩短。在ｔｃ时间内反复测量发射电流，每一次测量后都完全弛豫（ｒｅｌｅｘａｔｉｏｎ），即使总偏置时间超过临界时间，也不出现退化。

关键词：场发射电子发射特性硅场发射器阵列退化

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

硅场发射器中电子发射特性退化的机理

现代显示 1997年第2期 27-31页

关键词：场发射电子发射特性

退火对Al-Al_2O_3-Ti/Au金属-绝缘体-金属电子源发射特性的影响

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2014年第11期34卷 1228-1233页

作者：胡一华薛涛张小宁刘纯亮西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安710049

研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响。在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200 V,器... 详细信息

研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响。在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200 V,器件偏置电压13.5 V时电子发射电流密度达到1056.6μA/cm2,最大发射效率为4.7%,最优退火温度为300℃。在对MIM器件的Al底电极进行退火处理后,可以减小电化学氧化的电解质掺杂,提高器件发射寿命,器件工作于非电形成状态,电子发射电流密度波动小。对Al底电极的单独退火可使器件同时具有发射大、稳定性好的优点,在提高MIM发射性能的同时,缩短了器件制备周期。

关键词：金属-绝缘体-金属电子发射特性退火电形成