硅场发射器中电子发射特性退化的机理
作者机构：韩国电子和通讯学会半导体分会 韩国Ｃｈｕｎｇｎａｍ国立大学物理系
出 版 物：《现代显示》 (Advanced Display)
年 卷 期：1997年第2期
页 面：27-31页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：研究了硅场发射器中电子发射特性的退化和它的机理。利用化学—机械—磨光工序，制造出三级型硅场发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴级电流开始显著地降低。随着阳极电流增大，临界时间ｔｃ将缩短。在ｔｃ时间内反复测量发射电流，每一次测量后都完全弛豫（ｒｅｌｅｘａｔｉｏｎ），即使总偏置时间超过临界时间，也不出现退化。实验结果表明：硅场发射器中的退化主要是由于Ｎｏｔｉｎｇｈａｍ热使硅尖端呈现热不稳定所致
同方期刊数据库